鸟嘴效应_百度百科 由于氧化层消耗的硅更厚,所以在氮化物掩膜下的氧化物生长将抬高氮化物的边缘。 即为鸟嘴效应。 解决方法:这是LOCOS ...
鸟嘴效应- 百度百科 鸟嘴效应. 产生原因:由于氧在二氧化硅中的扩散是一个等向性过程,因此,氧也会 通过氮化硅下面的衬垫二氧化硅层进行 ...
半導體科技新聞- 淺層溝渠隔離技術- Semicondutor News, Science ... 如圖一所示,場氧化層的水平生長(鳥嘴效應),場摻雜離子的水平擴散,以及小尺寸場 氧化層的薄化效應都是將區域氧化隔離 ...
鸟嘴效应_互动百科 鸟嘴效应-由于氧在二氧化硅中的扩散是一个等向性过程,因此,氧也会通过氮化硅 下面的衬垫二氧化硅层进行横向扩散, ...
LOCOS之bird's beak(鸟嘴效应) | 芯片版图 2010年11月27日 ... 它是LOCOS工艺中一种不好的现象,而且氧化物越厚,“鸟嘴效应”更显著。通常会在 氮化物和硅之间生长一 ...
IC前製程問題!! - Yahoo!奇摩知識+ 0.25um以下的製程就開始用STI了.... locos較簡單...但因為鳥嘴效應會讓AA的 dimension縮水... MOS的Width和Length跑掉.
鸟嘴效应- 微电子百科,半导体百科-中国微电子网 2012年7月4日 ... 鸟嘴效应bird's beak二氧化硅层生长在没有氧化硅阻挡层的区域上,由于氧化剂能够 通过衬底 sio2层横向 ...
鸟嘴效应-百度 1 鸟嘴效应_百度百科. 产生原因:由于氧在二氧化硅中的扩散是一个等向性过程, 因此,氧也会通过氮化硅下面的衬垫二氧化 ...
鸟嘴效应-百度 1页 浏览:35次 鸟嘴效应_能源/化工_工程科技_专业资料。因为用pecvd制程出的非 晶矽薄膜中含H,即:a-Si: H 而sputter.