奈米鍺元件之製備 - 國家奈米元件實驗室 式電晶體已讓英特爾成功進入22 奈米世代，並可望延續至14 奈米甚至更小。我們. 新 發表的「三角型鍺鰭式電晶體」技術，成功利用選擇性缺陷移除技術，克服了矽.
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 用於7nm和5nm CMOS技術節點上的鰭狀電晶體演進 - Semicondutor Magazine 10pt>AARON THEAN／imec, Leuven, Belgium 10pt>除了延伸鰭狀設計的投資之外，增強的 鰭狀場效電晶體 ...
鰭式場效電晶體 -那些年那些事 -鰭式場效電晶體 場效電晶體金氧半 場效電晶體場效電晶體應用電路 場效應 電晶體接面 場效電晶體場效應 電晶體fet金屬半導體 ...
正聲廣播公司 ... ，英特爾2011年22奈米已導入3D電晶體 Tri-Gate架構，但台積電要等到2015年16奈米才提供3D架構 ...
奈米材料的製程及其潛在的應用 尺度的限制所形成的一種奈米結構包括有奈米粒子和. 圖二次微米世代的場效電晶體(MOSFET)截面. 圖與特性曲線. 圖三奈米世代的雙鰭狀場效電晶體(Fin-MOSFET).
直流與交流於三閘鰭狀場效電晶體元件的分析 第一章主要是針對鰭狀場效電晶體元件做一個簡介，說明鰭狀場效電晶體元件如何從傳統的金氧半元件演化而來，並提出一個三閘鰭狀場效電晶體元件。 第二章則是 ...
國立中山大學電機工程研究所碩士論文 - eThesys 中山博碩士 ... 圖5.2.1 假閘極垂直式矽覆絕緣場效電晶體：(a)元件結構光罩佈局圖，(b)元件剖. 面圖，(c)元件操作在狀態”1”，(d) .... 鰭狀閘極平面. 傳導. 獨立的閘極開. 關、平面傳導.
鰭狀場效電晶體三維電性模擬之研究- 江文湧- Google Books Title, 鰭狀場效電晶體三維電性模擬之研究. Author, 江文湧. Publisher, 撰者, 2004. Length, 160 pages. Export Citation, BiBTeX EndNote RefMan ...
鰭狀場效電晶體三維電性模擬之研究 - 成功大學電子學位論文 ... 本論文旨在針對鰭狀場效電晶體(FinFET)進行三維電性模擬分析，其中元件結構設計與臨界電壓(VTsat)、汲極引致能障下降(Drain induced barrier lowering, DIBL)、 ...
鰭狀場效電晶體 - 成功大學電子學位論文服務 查到「 關鍵字=鰭狀場效電晶體 」相關論文共1筆目前顯示第1 - 1 筆. 依學年度, 依校院, 依研究所, 依研究生. 選取, 序號, 研究生, 論文名稱/ 校院名稱/ 系所名稱/ 學年度/ ...
