場效電晶體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia 場效電晶體（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的 ... 一個n型MOSFET的橫截面 ... ISFET是離子敏感的場效應電晶體（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）,它用來測量溶液中 ...
非對稱閘極MOSFET的高電場效應 非對稱閘極MOSFET的高電場效應. The High Electric Effects in Asymmetric Gate MOSFET Device. IC編號:S35-90a-38. 指導教授:鄭湘原 中原大學電子研究所教授.
橫向電場效應顯示技術- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia 橫向電場效應顯示技術（英語：In-Plane-Switching Liquid Crystal，簡稱：英語：In- Plane Switching，縮寫：IPS）為日立製作所 ...
互補式金屬氧化物半導體元件之高電場效應研究與應用__臺灣博碩士 ... 但是受到工作電壓的限制，元件內所產生的電場強度遠高於從前，而高電場效應所 衍生出的可靠性問題便顯得日益重要，這些 ...
複晶矽薄膜電晶體在高電場效應下之電性分析與模型建立__臺灣博 ... 在此論文中，我們研究了多晶矽電晶體中的電流扭結現象並且建立了從漏電區，次 臨界區，線性區到飽和區等一系列的模型。
Chapter 3 Carrier Transport Phenomena 載子傳輸現象(4) - SlideFinder 2001年11月13日 ... 3.7高電場效應. 當電場很大時，飄移速度會達飽和vs為飽和速度(107cm/s for Si) ε0 為常數(7×103V/cm for ...
複晶矽薄膜電晶體在高電場效應下之電性分析與模型建立__國立交通 ... 在此論文中，我們研究了多晶矽電晶體中的電流扭結現象並且建立了從漏電區，次 臨界區，線性區到飽和區等一系列的模型。
铁电场效应晶体管_百度百科 铁电场效应晶体管也就是铁电介质栅极场效应晶体管（MFSFET，Metal-Ferroelectric -Semiconductor FET）：这是在MOSFET ...
橫向電場效應顯示技術@ blog :: 隨意窩Xuite日誌 顯示原理IPS型與TN型都是使用向列型液晶，兩者不同的特徵是施加於液晶分子的 電場不同： TN型的電極在兩片基板上面， ...
複晶矽薄膜電晶體在高電場效應下之電性分析與模型建立研究生 ... - 中文 I. 複晶矽薄膜電晶體在高電場效應下之電性分析與模型建立. 研究生：楊凱傑指導 教授：冉曉雯教授. 國立交通大學光電工程 ...
