[SST精選] 整合雙功函數金屬閘極CMOS - 《半導體科技．先進封裝與 ... 為了在高摻雜基板上達成n型和p型MOSFETs，這需要兩個不同金屬閘極，且其功 函數是接近Si基座的導電帶(~4.1eV)， ...
有機電激發光元件 陰極必須是一個低功函數的金屬. – 陽極則需要用一個高功函數的材料去配合，才. 可得到最低的注入能障。 陰極功函數對於電子注入的影響程度. • Stossel et al.以真空 ...
應用於金屬閘極整合的原子層沉積 - 半導體科技 然而，於選擇合適的金屬閘極時，有效功函數(effective work function)的控制為最重要 ... 閘極NMOS金屬堆疊，採用薄TiN層與Ti/Al混合物以設定正確的有效功函數[9] 。
論文查詢結果 學年度 姓名 論文題目 指導教授 99 李春億 設計與評估一可變增益及低雜訊的生醫放大器 Robert Rieger 99 林裕彬 多參數設計之可程式化生醫訊號紀錄前端放大器 Robert Rieger 99 陳彥宇 設計與評估用於聲波感測器應用的可程式化頻率 ...
第二十三屆中小學科展作品目錄 第 23 屆中小學科展作品目錄::: 年 度 : 72 屆 別 : 23 編 號 : 3101 學校名稱 : 明義國小 作品名稱 : 駝背老公公 地 區 : 花蓮縣 指導老師 : 林立虎 童慧芳 作 者 : 魏廣劭 陳貞 周亦蕙 謝信宏 備 註 : 年 度 : 72
金石堂網路書店－中文書籍－應用科學－電子機械／家電 金石堂網路書店－【電子機械／家電】的作者與出版社書籍詳盡介紹，最新與最多的特價應用科學的電子機械／家電圖書，每日都有特價商品推薦是網路書店購書最佳選擇！
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 目標針對45奈米具有改善之 氮氧化矽薄膜與延伸之閘極介電層- Semicondutor Magazine Kevin Cunningham, Khaled Ahmed, Chris Olsen, Steve Hung, Schubert Chu, Faran Nouri, Applied Materials, Santa Clara, California 氮氧化矽(SiON)閘極堆疊(gate-stack)介電層(dielectrics)在使用於65奈米以下的技術時已經快達到其極限了。雖然利用高介電
神奇的鐵磁流體 - 中學生網站 神奇的鐵磁流體 1 篇名 神奇的鐵磁流體 作者 蔡僑迪。高雄市立中正高工。化工科三年忠班 謝季遠。高雄市立中正高工。化工科三年忠班 李育松。高雄市立中正高工。控制科三年忠班 PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com
台灣採購公報網-招標決標與民間採購資訊整合收集與派送服務 依日期查詢 103年6月30日: 查詢到以下採購資訊:
Transition Metal Oxide Work Functions: The Influence of Cation ... material's work function is paramount. Transition metal oxide work functions can range from the extreme low ( ϕ ≈ 3 eV for. ZrO 2) to the extreme high ( ϕ ≈ 7 ...
