摻雜鋅之二氧化矽電阻式記憶體 - 國家奈米元件實驗室 在新穎次世代記憶體元件中，電阻式記憶體（Resistance Random Access Memory : RRAM）因具有操作速度快、結構簡單、非揮發性、低功耗與可靠度佳等優點，使其.
9奈米電阻式記憶體技術 - 國家奈米元件實驗室 - 財團法人國家 ... 今國家實驗研究院奈米元件實驗室(NDL) 領先全球，開發出全球最小的9奈米功能性電阻式記憶體(R-RAM)陣列晶胞，容量比現行快閃記憶體增加約20倍，耗電量則 ...
可變電阻式記憶體- 维基百科，自由的百科全书 可變電阻式記憶體（英语：Resistive random-access memory，縮寫為RRAM 或ReRAM），是一種新型的非揮發性記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體， ...
氧化矽基電阻式記憶體 - 國立中山大學材料與光電科學學系 2012年12月6日 - 中，電阻式記憶體( Resistance Random. Access Memory，RRAM ) 是當中最具. 潛力的一種數位訊息存儲器(Memory)，. 由於其具有高速、結構 ...
電阻電容高效耐用商品精選 - 良興電阻/電容專區∣EcLife良興購物網 良興電阻/電容專區，提供電阻、電容等週邊設備，優惠價格、品質保證。 ... 固定式電阻，無極性電容，水泥電阻，電解電容，SMD 電容，電容器 種類齊全，良興提供您各大廠牌的 固定式電阻，無極性電容，水泥電阻，電解電容，SMD 電容，電容器
下代記憶體問世有望？南韓新技術破解ReRAM研發難題_新聞_鉅亨網 被視為下一代非揮發性記憶體的「可變電阻式記憶體」(Resistive Random Access Memory、ReRAM)發展出現突破，韓國研究人員利用單層石墨烯(graphene)電極，研發出電阻轉換測量科技，或許有望解決ReRAM量產的最大障礙。 南韓媒體ETNews報導
氧化矽基電阻式記憶體 - 國立中山大學材料與光電科學學系 2012年12月6日 ... 中，電阻式記憶體( Resistance Random ... 式記憶體的電阻切換層，這對RRAM. 推 向工業化與量產化是一 .... 性記憶體的操作原理是利用複晶矽浮停.
離開歐姆定律電阻式記憶體材料 專. 題. 報. 導. 34. 科學發展2013 年6 月│ 486 期. 離開歐姆定律─. 電阻式記憶體材料. □. 鍾裕隆、陳貞夙. 大家對歐姆定律耳熟能詳，總是認定電流和電壓應該是成 ...
可變電阻式記憶體- 维基百科，自由的百科全书 可變電阻式記憶體（英语：Resistive random-access memory，縮寫為RRAM 或 ReRAM），是一種新型的非揮發性記憶體。
摻雜鋅之二氧化矽電阻式記憶體 - 國家奈米元件實驗室 在新穎次世代記憶體元件中，電阻式記憶體（Resistance Random Access Memory : RRAM）因 ... 靜態隨機存取記憶體（SRAM）、和快閃記憶體（Flash）. 最常應用於 ...
