電阻式記憶體簡介 三.電阻式記憶體材料 電阻式記憶體的薄膜材料使用上有高分子材料、鈣鈦礦、二元氧化物與三元氧 化物。目前研究的主流為二元氧化物材料，因製程上二元氧化物較容易控制，而有 益於工業生產，因此本實驗室採用二元氧化物材料進行研究。
工業技術研究院 - 技術成果 - 電阻式記憶體技術 3.利用ALD在薄膜成份與厚度的控制能力，有效的舒緩電阻式記憶體所需的生成電壓(Forming voltage) 。 優異的記憶體特性使得團隊的成果更進一步獲得2009 VLSI(積體電子領域最為重要會議)及2009 IEDM(電子元件領域最為重要會議)的肯定。不僅讓工研院在發展 ...
可變電阻式記憶體 - 維基百科，自由的百科全書 可變電阻式記憶體 （ 英語 ： Resistive random-access memory ，縮寫為 RRAM 或 ReRAM ），是一種新型的 非揮發性記憶體 。類似的技術還有 CBRAM 與 相變化記憶體 ，目前許多公司都正在發展這種技術。 ReRAM的優點在於消耗電力較低，且寫入資訊速度比 NAND 快閃 ...
工業技術研究院 - 可移轉技術 - 電阻式記憶體技術 氧化物電阻式記憶體是一種利用電壓來改變氧化物電阻的新興非揮發性記憶體技術，其主要的特點在於元件結構簡單。工研院目前所開發的HfOx電阻式記憶體，其特性不但突破過去此記憶體開發的瓶頸，也展示出取代快閃記憶體的可能性。
電阻式記憶體(RRAM)技術發展趨勢 | 產業焦點 | IEK產業情報網 一、電阻式記憶體的發展說明 電阻式記憶體(resistive random access memories；RRAM)近年來引起許多學校及業界廣泛的研究，主要是因為電阻式記憶體的主要結構相當簡單，和一般電容器結構極為相似，目前主要均是採用MIM結構(metal-insulator-metal)，此結構 ...
查詢結果 電阻式記憶體(RRAM)結合了快閃記憶體的非揮發性、靜態存取記憶體的快速存取、動態存取記憶體的高密度，配合低耗能、低成本、構造簡單、保存資料能力佳的優勢，使其在非 ...
工業技術研究院- 可移轉技術- 車銑複合銑削主軸技術 技術名稱(中文)：車銑複合銑削主軸技術. 技術名稱(英文)：Multi-Tasking Turn-Mill Spindle. 技術簡介. 零組件加工的製程往往同時包含了車、銑等不同的加工製程，或者 ...
研究資訊 因此本驗室將對 ZnO 薄膜做為電阻式記憶體 RRAM 的最佳製程開發及低功率、低電壓、低成本、高交換速度、高電阻比值、高 switching cycle、單 / 雙極 RRAM 機制研究等基本特性研究。 高介電常數材料元件開發分析 ...
電阻式記憶體(RRAM)技術新趨勢 | 產業焦點 | IEK產業情報網 首段預覽 一、電阻式記憶體的發展說明 近年全球學界、業界及研究單位，都針對電阻式記憶體(resistive random access memories；RRAM)投入很多研究，主要是因為RRAM結構簡單，和一般電容器結構極為相似，目前主要採用MIM結構(metal-insulator-metal)，此 ...
電阻式記憶體簡介 耐久性佳、記憶元件面積縮小、非破壞性讀取和低成本等優點，而被廣泛地研究中。 二.電阻式記憶體(RRAM). 電阻式記憶體常用的基本結構是以一個電晶體與一個 ...
