g,g Qg[¹ - 國研院晶片中心 最早的砷化鎵技術,主要是以 離子植入法來製造,過去MESFET 並不需要長磊晶 (Epi)步驟,因此晶圓的成本遠低於pHEMT與HBT,但MESFET電晶體運作時,必須提供 ...
ion implantation - 離子植入 - 國家教育研究院雙語詞彙、學術名詞暨辭書資訊網 出處/學術領域 英文詞彙 中文詞彙 學術名詞 電子工程 ion implantation 離子植入法 學術名詞 電子計算機 ion implantation ...
高溫氮離子植入製程之氮離子濃度分布與物理性質分析 離子植入法有以下幾種[2]:(1) Ion implantation (II) ;(2) Metal vapor vacuum arc source ion implantation (MEVVA) ...
半導體參雜的方式 - Yahoo!奇摩知識+ 請問半導體參雜的方式有哪些???請問半導體參雜的方式有哪些??? ... 摻雜(Doping) 在半導體中摻入雜質原子,使雜質分散在矽原料中,以形成 p 型或 n ...
半導體參雜離子植入法的概念- Yahoo!奇摩知識+ 2011年5月10日 ... 熱擴散法是利用熱,讓雜質原子在矽中擴散。擴散是指物質從高濃度往低濃度移動的 現象。 ◇ 離子植入法 ...