離子植入法 - 解釋頁 是半導體摻雜的式之一。將欲加入的雜質先離子化,提昇雜質的能量或動能,接著, 利用電場加速離子運動速度及磁場改變運動方向,將經離子化的雜質直接打入矽晶片 ...
半導體參雜離子植入法的概念- Yahoo!奇摩知識+ 2011年5月10日 - 熱擴散法是利用熱,讓雜質原子在矽中擴散。擴散是指物質從高濃度往低濃度移動的現象。 ◇ 離子植入法是利用施加高電壓,使各離子化的元素產生 ...
ion implantation - 離子植入[法] 出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電子工程, ion implantation, 離子植入 法. 學術名詞 電子計算機, ion implantation, 離子植入. 學術名詞 物理學名詞
ion implantation - 離子植入法 - 學術名詞暨辭書資訊網 - 國家教育研究院 出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電子工程, ion implantation, 離子植入 法. 學術名詞 電子計算機, ion implantation, 離子植入. 學術名詞 物理學名詞
離子植入法的用途 沈積和驅入(drive-in). 離子植入機. 接合界面(junction). 將充滿負電荷的區域(N型區) 和充滿電洞的區域(P型區) 分隔. 的界面。位置在電子/電洞濃度相等之處.
Ion Implantation Lecture 8. EE143 F2010. 1. Ion Implantation x. Blocking mask. Si. +. C(x) as- implant depth profile. Concentration Profile versus Depth is a single-peak function.
離子植入法 - 財經百科 - 財經知識庫 - MoneyDJ理財網 離子植入法。 離子植入法是半導體摻雜的式之一。將欲加入的雜質先 離子化,提昇雜質的能量或動能,接著,利用電場加速 ...
解釋頁 - 基金大觀園 離子植入法 Ion Implantation。 是半導體摻雜的式之一。將欲加入的雜質先 離子化,提昇雜質的能量或動能,接著,利用電場加速 ...
技術論壇詳細頁 - 塑網-塑膠人的專業網站 本年度的優良創新應用研究獎由材料所廖世傑帶領的研發團隊「 離子植入法 ...
半導體參雜離子植入法的概念 - Yahoo!奇摩知識+ 想了解 離子植入法的優缺點為何?? ... 熱擴散法是利用熱,讓雜質原子在矽中擴散。擴散是指物質從高濃度往低濃度移動的現象。 ...