奈米通訊。第五卷第三期 8.二次離子質譜術與超淺接面分析 第五卷第三期 二次離子質譜術與超淺接面分析 潘扶民 國家奈米元件實驗室 IC產品物理結構大幅縮小的同時,相關的分析技術對微區分析的能力自然亦需相對地提升,這除了平面解析能力,亦包括縱深解析度的改進,由於複層結構的微細化,層與層之間的 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 離子植入:32奈米與22奈米元件製程的新促動要素 - Semicondutor Magazine 多年來,離子植入設備供應商主要在產能與擁有成本的差異上進行競爭,邁入32奈米與22奈米製程的挑戰,開啟了新的機會,離子植入製程業已接軌,成為未來技術節點進行晶片製造的重點技術。 一開始,離子植入即為主力製程,VLSI電路因植入技術的固有 ...
Applied Solion®離子植入機 | Applied Materials Applied Solion離子植入系統運用經過生產驗證的平臺技術,為製造結晶矽光電電池的精密度、生產率和靈活性設定全新標準。 由於運用Solion系統的平臺技術,電池製造商既能提高電池效率,又能降低生產成本。
朝向更低能量之離子植入製程新趨勢與超淺接面的製作 本文所要探索的就是以高質量分子植入(High Mass Molecular Implant)及. 低溫植入 (Cold Implant)來提升 .... 到以BF2 離子植入來增加離子佈植機的產能。然而氟. 原子不是摻雜元素,卻會 ...
離子佈植(Ion Implantation)談起 - 國家奈米元件實驗室 離子佈植是:離子佈植就是利用電場,將游離的原. 子或分子加速後, ... 例,從離子的產生開始,到植入矽晶圓基板(substrate) .... 不要忘了它還能控制入射角,總而言之, 離子佈植機. 對於摻雜 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌- 離子植入:32奈米與22奈米元件 ... 多年來,離子植入設備供應商主要在產能與擁有成本的差異上進行競爭,邁入32奈米與22奈米製程 ... 圖一顯示了PTC-II製程與傳統“非晶化前植入製程”(pre- amorphization implant, PAI)的比較。
漢辰科技股份有限公司<公司簡介及所有工作機會>─104人力銀行 漢辰科技股份有限公司,半導體製造業,漢辰科技股份有限公司(Advanced Ion Beam Technology, Inc. AIBT)成立於1999年美國矽谷,並在新竹與台南科學園區設立營業總部與製造中心;漢辰科技網羅了離子植入技術最頂尖的開發人才及對半導體製程應用獨具經驗的專家 ...
Applied Solion®離子植入機| Applied Materials Applied Solion離子植入系統運用經過生產驗證的平臺技術,為製造結晶矽光電電池 的精密度、生產率和靈活性設定全新標準 ...
應用材料公司精進3D晶片架構的離子植入技術| Applied Materials 2014年7月1日 - 應用材料公司今日宣佈推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統;這是業界最先進的中電流離子植入機台,專門開發用於製造次20奈米以下的FinFET ...
低能量離子佈植技術及F+預先非晶化佈植之探討 - 國家奈米元件實驗室 在離子佈植的過程中,因矽基板是屬於結晶物質,具有完美的晶格結構,因而會發生 通道效應(channeling effect),導致離子植入的深淺超過預期所要求的深度。要抑制 ...