半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - SIMS(二次離子質譜)在化合物半導體材料分析中的應用 - Semicondutor Magazine 在半導體工業中，材料與表面分析技術佔有相當重要的地位。它們被廣泛應用於生產過程中的各個環節，從新材料、新工藝開發、工藝過程中的監控直到失效和解剖分析。一般說來，材料分析包括物理的和化學的分析。物理分析是指對材料的物理性質，象 ...
離子佈植（Ion Implantation）談起 - 國家奈米元件實驗室 離子佈植是：離子佈植就是利用電場，將游離的原. 子或分子 ... 例，從離子的產生開始 ，到植入矽晶圓基板（substrate） ... 離子萃取是利用正負電荷異性相吸的原理，將一.
離子佈植 - 中研院物理研究所 離子佈植是將具有一定能量的離子植入固體表面的方法，藉由將原子引進固體基座的 ... 其中離子源係為產生各種離子的基本設備，其工作原理係將靶材物質游離，使其 ...
「離子植入法+退火處理法」。 將這些雜質摻入不具導電性的基板後，就可產生pn接面。 ◇ 摻入三價元素為p型，摻 入五價則為n型。 ◇ 這些元素藉由熱擴散法或離子植入法摻入矽中，目前以離子植 ...
基本原理 可見入射離子質量與遭碰撞的原子質量相當時會有最大的能量轉移，這個機制隨著 入射離子能量減小而呈現其重要性。綜言之，植入製程之離子其入射能量通常在 eV ...
3-17摻雜技術(Doping technology) - 首頁 2012年8月4日 ... 圖3-24＞ 離子佈植機的構造與原理。 【實例】 請使用「離子佈植摻雜」，在P型矽基板 的左右各製作一個N型的區域。 〔解〕 在矽晶圓中摻雜少量的5A族 ...
半導體製程技術 矽晶體結構, 摻雜, MOSFET, IC. 半導體製程技術. 氧化, 化學氣相沈積, 微影, 蝕刻, 擴散, 離子佈. 植, 金屬 ..... 離子佈植. Ion Implantation. 離子佈植. 離子佈植原理. 退火 ...
Chapter 8 離子佈植 2. 目標. ‧列出至少三種常用的掺雜物. ‧指出三種掺雜區域. ‧描述離子佈植的優點. ‧ 描述離子佈植機的主要部份. ‧解釋通道效應. ‧說明離子射程與離子能量的關係. ‧解釋 需 ...
2.2 離子佈植砷化鎵場效電晶體 - 國立中央大學 文中簡單介紹電晶體、離子佈植和相關量測之原理，並. 詳述各個製程步驟之技術， .... 圖2.5(b) 離子植入因通道效應與高斯分佈之間所產生的差別…12. 圖2.6 將晶片 ...
基本原理 可見入射離子質量與遭碰撞的原子質量相當時會有最大的能量轉移，這個機制隨著入射離子能量減小而呈現其重要性。綜言之，植入製程之離子其入射能量通常在 eV ...
