中山大學物理系 半導體奈米元件與奈米技術 Semiconductor Nano-device and Nano-Technology 積體電路製程 ULSI Technology 薄膜電晶體(TFT)平面顯示器 TFT-LCD Display 半導體元件 ...
IGZO面板- 財經百科- 財經知識庫- MoneyDJ理財網 IGZO面板。 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)為氧化銦鎵鋅的縮寫，是一種薄膜電 晶體技術，在TFT-LCD主動層之上，打上一層金屬氧化物。IGZO技術由夏普(Shar.
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 先進CMOS電晶體之金屬閘極整合化CMP製程 - Semicondutor Magazine 10pt 3>因為新材料的引入，使得高介電常數金屬閘極(high-k metal-gate, HKMG)CMOS電晶體的量產製程整合化更形複雜。後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程，兩者對最終閘極高度(gate height)與表面形貌(topography)都需要極度的 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 高介電係數介電層與金屬閘極的製程選擇：閘極先製還是閘極後製 ... 10pt 3>當傳統的Poly/SiON閘極堆疊已無法符合需求時，導入新的閘極堆疊材料（高介電係數介電層與金屬閘極）使得摩爾定律能夠繼續在45/32奈米製程延續下去。不同的製程（一般而言，分為閘極先製與閘極後製製程）也被提出來搭配這些新的閘極堆疊材料。
奈米通訊。第七卷第二期 1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 林鴻志 家奈米元件實驗室 研究員 極電極(Gate Electrode) (一) 雙多晶(dual-poly)矽閘極 目前先進的250和180奈米CMOS電路技術，多以雙多晶(dual-poly)閘極取代傳統的單多晶(single-poly)閘極方式，主要是為了PMOS元件短通道 ...
第四章非晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器的製程技術及模組技術 初期所發展的液晶平面顯示器僅是簡單的數字表示，爾後不. 斷地發展到成為資訊通訊時代中，不可或缺的 ...
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銦鎵摻雜非晶態氧化鋅薄膜電晶體在雙閘極結構下之電性量測 ... 近年來，隨著液晶顯示器的尺寸逐漸增大，用來使液晶旋轉的薄膜電晶體所. 需要的電子 ... 雖然非晶態金屬氧化物薄膜電晶體具有非常高的電子遷移率，但卻常常受到.
國立雲林科技大學光電工程研究所碩士班碩士論文 本研究針對透明導電氧化物氧化鋅鎵(Gallium Z inc O xide) 薄膜與. HfSiO 薄膜進行其特性分析以研製薄膜電晶體，透過射頻磁控濺鍍系統來沉. 積GZO 薄膜於 ...... 為了在可見光區段裡得到良好的穿透率，金屬氧化物薄膜陸續被開發出來，. 例如摻銻或 ...
