加速應力測試(accelerated stress testing)在極短的時間內以模擬實際使用狀況及使用至損壞的方式導致測試件損壞(不 ... 在極短的時間內以模擬實際使用狀況及使用至損壞的 方式導致測試件損壞(不動作)的一種測試。 ... 產品在正常操作環境的壽命與加速環境的壽命之比。例如受溫度影響以Arrhenius 公式計算加速因子為 AF = exp (Ea/K x (1/T
從微米走向奈米 半導體製程推進難關不斷 - 學技術 - 新電子科技雜誌 根據新修訂ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)技術藍圖，清楚地指出目前半導體製程技術，已經從早期微米以上製程不斷地微縮，經過0.1微米以下，進入到「奈米」世代... 根據新修訂ITRS(International Technology Roadmap for
低介電材料(Low-k) ... 引起的內連線傳導延遲而抵銷，R代表金屬導線的電阻，C則代表導線間的絕緣介 電層的介電常數。 .... 我們已能成功地製備出k
材料世界網:32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手-材料技術的新突破 在2007 Symposium on VLSI Technology有關高介電常數絕緣膜/金屬閘極(high-k/metal gate)議程的會場上，Intel和IBM公司以「電晶體歷史中最大的技術革新」為口號，各自發表45nm時代的實用化技術，即所謂的high-k
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - III-V族與鍺期望能幫助CMOS發展 - Semicondutor Magazine 3>縮小矽互補式金屬氧化層半導體(silicon Metal-Oxide-Semiconductor，silicon CMOS)節點越來越困難。然而，III-V族及鍺(Ge)材料的金屬氧化層半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)能提升n型(n-type)及p型(p-type
介電常數- 台灣Wiki 2013年7月13日 - 如果有高介電常數的材料放在電場中，場的強度會在電介質內有可觀的 ... 或電容率，它是表示絕緣能力特性的一個係數，以字母ε表示，單位為法/米.
导体的介电常数是多少？ | 问答| 问答| 果壳网科技有意思 2013年9月20日 - 另外大介电常数材料可以做大电容，但是肯定不会拿导体做电容。 ... 事实上金属具有复介电常数，产生自电磁波在金属中的衰减实部就是通常的介电 ...
关于金属介电常数的讨论 - DSL 关于金属介电常数的讨论. 邝向军. （西南科技大学理学院，四川绵阳621002）. 摘要：考虑金属中的电子位移极化，利用谐振束缚电子模型，导出了金属中相对介电常数 ...
关于金属介电常数的.._百度文库 2011年2月4日 - 19 2 Apr． 2006 文章编号：1673-1549（2006）02-0075-04 关于金属介电常数的讨论邝向军（西南科技大学理学院，四川绵阳621002） 摘要：考虑 ...
(五)金属的介电常数_CNKI学问 (五)金属的介电常数-1.金属的复介电常数金属的光学常数n和k分别是金属复折射指数的实部和虚部,即≡n+ik。 金属的介电常数也是复数,即≡ε′+iε″。 根据定义≡2 ...
