BSIM3v3 模型介紹與萃取方法 圖24 有效 通道長度調變效應 (12) 在BSIM3v3裡DIBL效應的模型是利用公式(13)(14) 來描述直 流方程式的公式(10)(1 ...
單元十四:MOSFET特性 單元十四場效電晶體特性與基本放大器 實習14-1:MOSFET輸出特性與阻抗 一. 相關原理 圖14-5 增強型n MOSFET之iD- ...
剖析BSIM3v3模型萃取方式(下) 掌握元件模型參數加速偵錯 - 學技術 - 新電子科技雜誌 ... 會使得載子速度達到飽和狀態,因此有效通道長度在高電場的狀態下會減短,這個效應稱做 通道長度調變效應。 ...
名師介紹 - 大碩研究所:提供研究所考試、研究所推甄、在職專班、EMBA最新考試資訊 基本結構、反轉層現象、臨界電壓 增強型NMOS電晶體的特性、符號、結構 實際考量、 通道長度調變效應,本體效應 ...
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爾利效應- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia 行動版 - 爾利效應(英語:Early effect),又譯厄爾利效應,也稱基區寬度調變效應,是指當雙極性電晶體(BJT)的集極-射極電壓VCE改變,基極-集極 .... 通道長度調變係數, 通常與通道長度L 成反比。
通道長度調變效應 考慮通道長度調變效應( Channel-Length Modulation Effect )時,則VDS增加,等效通道長度會縮短. ( 14-5 ).
103 年公務人員普通考試試題 - 公職王 ... 調變效應發生之. 原因。 【擬答】:. CMOS 剖面圖:. 通道長度調變效應(channel length modulation effect):.
電子學場效電晶體的疑問- Yahoo!奇摩知識+
通道長度調變效應 元件(d)基板電壓調變效應(body effect) (e)通道長度調變效應(channel length modulation effect) (f). 2.