半導體〈Semiconductor〉(三) - 高瞻自然科學教學資源平台 2011年1月6日 - 摻雜施體原子或受體原子，對於材料的費米能階偏向何一能帶，亦扮演重要角色，偏向的多寡依據摻雜之濃度而定。在熱平衡的情況下，費米能階的 ...
摻雜(半導體) - 維基百科，自由的百科全書 以一個有晶格結構的矽本徵半導體而言，原子濃度大約是5×1022 cm-3，而一般積體電路製程裡的 ... 摻雜物對於能帶結構的另一個重大影響是改變了費米能階的位置。
國立聯合大學光電工程學系半導體能帶理論與載子濃度電子能 ... 直接與間接能隙半導體. ○ E-k關係圖，每一個k 點. 皆有相對的E(k). ○ 化合物半導體GaAs 所具. 有的能帶結構，導帶最低. 點與價帶的最高點都在k. ＝0 處，為 ...
10104載子的傳輸特性 - 國立聯合大學 影響平均碰撞時間的原因 ... 計算半導體在電場或磁場所產生的電流必須知道半導體中載子的. 濃度，除此之外，也必須考慮這些載子與晶格及雜質等的碰撞等.
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費米-狄拉克分布| 科學Online – 科技部高瞻自然科學教學資源 ... 2015年2月6日 - 假設在總能為E的情況下，某一個特定能階∈j 有dj 種不同量子簡併態，且 ... 填到最高的費米能階EF，因而無法到達傳導帶（最低能量為EC的能帶）， ...
