國立清華大學電子工程研究所 黃惠良(Huang, Huey-Liang) 教授 國立清華大學電機工程學系暨電子工程研究所 Professor , Department of Electrical Engineering & Institute of Electronic ... Brief CV: Huey-Liang Hwang received the B.S.E. and M.S.E. degree in Electrical Engineering from National ...
金石堂網路書店－中文書籍－應用科學－半導體／面板 金石堂網路書店－【半導體／面板】的作者與出版社書籍詳盡介紹，最新與最多的特價應用科學的半導體／面板圖書，每日都有特價商品推薦是網路書店購書最佳選擇！
奈米通訊。第六卷第三期 12.超薄氧化層天線效應(Antenna Effect)之偵測 超薄氧化層天線效應(Antenna Effect)之偵測 林鴻志 國家奈米實驗室副研究員 摘要 當閘極氧化層(gate oxide)厚度小於4 nm後，傳統常用來偵測天線效應程度的電晶體參數，如臨界電壓(threshold voltage，Vth)、互導(transconductance，Gm)，及次臨界擺幅 ...
國立臺灣大學-電子工程研究所 研究領域 鐵電材料及電子元件應用(電晶體及非揮發性記憶體)；低維度半導體基本物理(二維電子電洞)及量子電腦元件(量子點)；鍺錫半導體磊晶、電子與光電元件(穿隧式電晶體、雙載子電晶體、發光二極體)；半導體光合作用。
利用非對稱閘極之不同遮蔽長度來提升奈米線穿隧式電晶體效能 此論文以模擬方式，提出一種非對稱閘極的穿隧式電晶體(AG-TFET)，其源極是由包. 覆式閘極(Gate-all-around) 控制，而汲極是由平面式閘極所控制。由於包覆式閘極.
點接觸式單電子電晶體之製作與分析 - 國家奈米元件實驗室 發單電子電晶體的歷史已經有好幾年了。元. 件製作的一個主要的關鍵在於如何形成量子. 島(quantum island) 通道和穿隧阻障(tunnel barriers) 以至於讓電子在傳輸時 ...
奈米 - 國立暨南國際大學線上服務 利用量子特性來製造奈米電晶體目前有兩個做法：第一種為穿隧式單電子電晶體，它主要結構兩個穿隧接面包住一個奈米點而成，其工作原理則是利用奈米點的有限能 ...
單電子電晶體－奈米科技的應用 - 國立暨南國際大學線上服務 自從1947年電晶體被發明以後，電晶體製作的技術便不斷的被改進，在幾. 十年間從早期的 ... 應中的穿隧(tunneling)來控制並量測單一電子。單電子電晶體的特性是與 ...
多閘極穿隧式奈米碳管場效電晶體之電性研究 - 國立清華大學 Title: 多閘極穿隧式奈米碳管場效電晶體之電性研究. Other Titles: Investigation of electrical characteristics for multi gate tunneling-carbon nanotube field effect ...
奈米元件(Nano Devices) - 國立交通大學電子工程系高中生專區 大約在2003年左右，電晶體尺度終於突破100奈米，進入奈米尺度的領域。 ... 未來奈米元件將繼續微縮，各種鰭式電晶體、量子穿隧電晶體、奈米碳管元件、石墨烯元件 ...
