Influence of modulated RF silane plasma on the gap states and stability of the intrinsic layer of a- 脈衝調變RF電漿對 氫化非晶矽太陽能電池本質 層薄膜的價態與穩定性之影響 Influence of modulated RF silane pla ...
碩博士論文 962206049 詳細資訊 所以，如何以磁控濺鍍方式製作並提升 氫化非晶矽 薄膜的特性為本研究之重點。 在研究過程中，吾人利用直流電源供 ...
氫化非晶氮化矽及非晶矽薄膜電晶體之研究 - National Chung Hsing University Institutional Repository - NCHUIR 標題: 氫化非晶氮化矽及 非晶矽薄膜電晶體之研究 The Study of Hydrogenated Amorphous Silicon Nitride and Amo ...
非晶硅- 维基百科，自由的百科全书 非晶硅(Amorphous silicon, a-Si)，又名无定形硅，是硅的一种同素异形体。晶体硅通常呈 ... 然而，这些悬空键可以被氢所填充，经氢化之后，无定形硅的悬空键密度会显著减小，并足以达到半导体材料的标准。但很不如愿 ... 參考[编辑]. 奈米晶矽 · 多晶矽 ...
非晶矽- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia 非晶矽(Amorphous silicon, a-Si)，又名無定形矽，是矽的一種同素異形體。 ... 然而，這些懸空鍵可以被氫所填充，經氫化之後，無定形矽的懸空鍵密度會顯著減小，並 ...
脈衝調變RF 電漿對氫化非晶矽太陽能電池本質層 ... - 大同大學 氫化非晶矽(a-Si:H)薄膜為一短程有序的結構，被應用於半導体和薄膜太陽. 電池，具有製程簡單、成本低廉等特性，然而由於結構缺陷較多，非晶矽太陽能. 電池轉換 ...
下載 - 國立中央大學 用較佳化氫化非晶矽i-a-Si:H、p-a-Si:H 及n-a-Si:H 單層膜各一條件，. 分析電性、光性、結構性及表面形貌。並將目前實驗的較佳化條件製. 成相同兩個pin 太陽能電池， ...
氫化非晶矽薄膜電晶體特性研究 - 臺北科大機構典藏系統 論文中文摘要：, 氫化非晶矽薄膜電晶體(a-Si:H TFTs)，廣泛的應用在各式的平面 ... 其可能原因為熱能對元件的a-Si:H層退火，使矽斷鍵或已擴散的氫重新鍵結或與 ...
Hydrogenated amorphous silicon thin-film transistor arrays ... The average hydrogenated amorphous silicon TFT device within an array had a ... Index Terms—Active-matrix arrays, amorphous silicon, jet printing, thin-film ...
國立雲林科技大學光電工程研究所碩士班碩士論文 Sputtering)在p-type 多晶矽晶圓上成長非晶矽i-layer、n-layer 薄膜，製作. 成p-i-n 接面，利用 ... 法，來形成氫化非晶矽，探討其矽氫鍵結之情況，並量測其電性、光性及.
