氧電漿處理對BST高介電薄膜的影響 - 國家奈米元件實驗室 14. 第. 七. 卷. 第. 四. 期. 毫. 微. 米. 通. 訊. 氧電漿處理對BST高介電薄膜的影響. 簡昭欣、呂正傑. 國家毫微米元件實驗室.
氧電漿表面處理對二氧化鋯薄膜之影響- Department of Applied ... 本實驗探討氧電漿表面處理的功率或時間改變，產生之接觸角大小比較。 設功率為 50W及100W兩種功率下，分別在未加氧電 ...
電漿表面改質及摻雜對LPCVD 氧化鋅膜效應之研究 - 龍華科技大學 在高氧氣氛下(87.5%)，摻入氧化鎂，探討對鎂氧化鋅(MgZnO)膜之特性及結構 ... 出現，Meng[9]則以氧電漿表面處理氧化.
電漿技術在產業的 真空式電漿技術則採用廉價的氧氣，清潔效率高，重要的是副產物為ＣＯ２、Ｈ２Ｏ皆對 ... 水氣反應，而使得表面能增加，產生親水（hydrophilic) 之效果，如果是非氧電漿 處理則使用如He, N2, NH3 or H2 plasma。
Plasma cleaning - Wikipedia, the free encyclopedia The surface of a MEMS device is cleaned with bright, blue oxygen plasma in a ... If the part to be treated consists of easily oxidized materials such as silver or ...
等離子電漿切割機 - Chaostec巧士科技電腦割字機,雷射CNC雕刻機 可擕式數控切割機整體小巧微型結構，替代掌上型火焰切割、掌上型等離子切割裝置、仿形切割機以及半自動切割小車的理想產品。使用靈活方便，隨意搬移不占空間。適用於室內外切割，能對各種金屬材料按任意圖形切割。
奈米通訊。第七卷第二期 1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 林鴻志 家奈米元件實驗室 研究員 極電極(Gate Electrode) (一) 雙多晶(dual-poly)矽閘極 目前先進的250和180奈米CMOS電路技術，多以雙多晶(dual-poly)閘極取代傳統的單多晶(single-poly)閘極方式，主要是為了PMOS元件短通道 ...
Chapter 10 化學氣相沉積與介電質薄膜 9 CVD應用 薄膜 源材料 Si (多晶) SiH 4 (矽烷) 半導體 SiCl 2H 2 (二氯矽烷；DCS) Si (磊晶) SiCl 3H (三氯矽烷；TCS) SiCl 4 (四氯矽烷；Siltet) LPCVD SiH 4, O 2 SiO 2 (玻璃) PECVD SiH 4, N O 介電質 PECVD Si(OC 2H 5) 4 (四乙氧基矽 ...
真空蝶閥BPCV001--馗鼎柰米科技股份有限公司 專業電漿清洗設備 真空蝶閥具備蝶閥本體與控制器，控制器可供應蝶閥電源與壓力計電源，節省系統與蝶閥間複雜的配線，另外真空蝶閥除具備蝶閥開合度調節壓力外，更首創加入流量控制器的操作來調節壓力，可比一般外購蝶閥更容易穩定系統壓力
