第二章 热平衡时的能带及载子浓度 3_百度文库 ... ND 2 p= + ( ) + ni2 2 2 ni2 np = p （少數載子） 少數載子） （多數載子） 多數載子） 主要載子 濃度公式 ...
1 半導體材料與特性 講義與作業 p 區摻雜至Na=1016 cm-3 而n 區摻雜至Nd=1017 cm-3 解：在室溫下，矽的 本質載子 濃度約 帶入 公式可求得 ...
心得報告 - 國立清華大學 - 教學發展中心 ，在這個 公式，我們可藉雜質的摻雜 濃度 來求得內建電位，利用內建電位反求電場與空乏區寬度的關係 、、 3. ... 而電子解離 ...
第一章 概論 純矽半導體 本質濃度Ni =1.5(1010原子/cm3，其密度為5(1022原子/cm3，若每108 ... 實際模式：為真實二極體的情況，電流特性曲線為非線性的指數 ...
第1 章半導體材料與特性講義與作業Example 1.1： T=300 °K 求矽之本質載子濃度. 解：代入公式即可 ni=1.5×10. 10 個/cm3，雖不小， 但比起原子濃度5×1022 cm/. 3 則很小. 二、外質(掺雜)半導體. 1. 本質半導體的電子 ...
求高手-電子學電子濃度計算- Yahoo!奇摩知識+ 某純矽半導體在溫度T=300K下，假設本質載子濃度1.5x10的10次方單位cm -3次方， 若將半導體參 ... Mass-Action-Low的公式呢就是下面這條公式
本質半導體之電子濃度應等於電洞濃度 將其中的自由電子質量修正成mn（電子在晶體中的有效質量），則以上之公式變為 .... 熱平衡狀態下，本質半導體的載子濃度受到溫度、有效質量以及能隙的影響。
第二章热平衡时的能带及载子浓度3_百度文库 2010年9月28日 ... 2.6 本質(Intrinsic)半導體的載子(carrier)濃度Thermal equilibrium：無外界 ... 本質 半導體之公式仍可用（nondegenerate時）： n p乘積仍為常數（相同 ...
Donald A. Neamen---Microelectronics Circuit Analysis and Design n0 為自由電子之熱平衡濃度， p0為電洞之熱平衡濃度， ni為本質載子濃度 ... Example 1.2：求熱平衡下之電子電洞濃度帶入公式即可考慮在T=300° K 下矽被磷摻 雜 ...
半导体- 维基百科，自由的百科全书 如果摻雜進入半導體的雜質濃度夠高，半導體也可能會表現出如同金屬導體般（類 金屬）的電性。在摻雜了不同極性雜質的 .... 代表，公式如下：. m^{*} = \hbar^2 \cdot ...
