研發報導 - 國立雲林科技大學 傳統之銅金屬化製程需在銅-矽間置擴散阻障層 ( Diffusion Barrier ) 以阻絕銅-矽之間 的反應,但在元件越做越小、密度越來越高、阻障層日益減薄的趨勢下,所衍生的 ...
Ching-Yun University 氧化與表面成形 使用SiO2之目的 1.表面保護(surface passivation)-硬,密度高,防止污染物、水蒸氣進入、刮傷-化性鈍,M.I.C.夾入SiO2 ,防止破壞Si 2.摻雜阻障層(Doping barrier)-硬、密度高,離子不易射入-SiO2和Si熱膨脹係數相近,高溫製程中晶圓不彎翹
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 以犧牲覆蓋層進行晶圓形貌控制 - Semicondutor Magazine 覆蓋層(capping layers)能保護後續製程對多孔性低介電值材料的影響,儘管業界已經開始應用多孔性低介電質,目前仍有充分的理由使用覆蓋層。此篇論文重心為犧牲覆蓋層(sacrificial cap layers)對銅金屬 阻障層(copper-barrier)的化學機械研磨製程(CMP)影響,以及對 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 適用於16奈米技術的銅電鍍方法 - Semicondutor Magazine 3>電解沈積(electrodeposition)製程目前已經發展成可以實現在特徵(features)上,持續快速增加之由下而上(bottom-up)的銅成長,同時在電鍍製程開始時其高成核密度也能夠保護銅晶種(seed)的最薄區域[1-3],並在較小的特徵尺寸上利用改善後的晶種層的優點。這種 ...
奈米通訊。第六卷第一期 17.電遷移效應對銅導線可靠度之影響 第六卷第一期 電遷移效應對銅導線可靠度之影響 吳文發a、秦玉龍b a國家奈米元件實驗室、b國立交通大學電子所 1. 前言 由於積體電路生產成本與元件操作速度的考量,積體電路製作技術已邁入ULSI (ultralarge-scale integration),造成在後段金屬連線 ...
物理光學 - 臺北市立建國高級中學 Taipei Municipal Jianguo High School Title 物理光學 Author Huang Last modified by 命題光碟 Created Date 2/10/2005 7:52:08 AM Document presentation format 如螢幕大小 Company My Company Other titles Arial 新細明體 標楷體 Times New Roman Wingdings Monotype Corsiva Gungsuh 預設簡報設計 ...
電漿處理的鉭擴散阻障層在銅製程的應用- 《半導體科技.先進封裝與 ... "吳文發、吳其昌/ 國家奈米元件實驗室歐耿良、周長彬/ 交通大學機械工程研究所 本 研究主要探討氮氣電漿處理的鉭(Ta)擴散阻障層薄膜在銅製程上的熱穩定性,其中 ...
鈦鋁介金屬化合物薄膜作為銅之擴散阻障層的研究The study of TiAlx ... 目前銅的擴散阻障層材料主要有幾. 支:鉭化合物、鈦化合物、鎢化合物及鉬化合. 物 等【1~6】,這些材料於銅之擴散阻障層上的應. 用所遇到的問題有:高溫熱穩定性不 ...
Diffusion barrier - Wikipedia, the free encyclopedia A diffusion barrier is a thin layer (usually micrometres thick) of metal usually placed between two other metals. It is done to act as a barrier to protect either one of ...
FIXA Diffusion barrier - IKEA IKEA - FIXA, Diffusion barrier. ... Diffusion barrier, chrome plated. IKEA FAMILY member price. Price/. Regular price. $6.99. Price/. undefined - undefined Valid ...