CTIMES - [Tech Spot]四大快閃記憶體替代技術:PCM,MRAM,RRAM,FRAM,三星,Samsung,美光 FRAM 功耗更低，寫入性能更快，且寫入次數遠非 快閃記憶體可比。 缺點 包括：較低的儲存密度、儲存容量的限制和 ...
《台股點金術》專利商機可期 旺宏爆量漲停 - 財經 - 自由時報電子報 旺宏（2337）︰在 快閃記憶體缺陷修復新研究提出，可使元件達到上億次編寫及抹除，約為現有先進 快閃記憶體規格 ...
穿隧氧化層氮化技術對 SONOS 快閃記憶體之特性研究 是要解決目前SONOS 快閃記憶體面臨的上述 缺點 ，提供學術及產業界發展新一代 快閃記憶 體的參考。 164 中正嶺學 ...
耗損平均技術 (Wear Leveling) - 提供和分析最新產業資訊與科技趨勢- 電子工程專輯 . 目前採用 快閃記憶體作儲存媒介的嵌入式系統皆希望其效能可以追趕上傳統式硬碟(HDD)。許多產品在運作時需要大量 ...
快閃記憶體 - 维基百科 這種科技主要用於一般性資料儲存，以及在電腦與其他數位產品間交換傳輸資料，如 記憶卡與隨身碟。快閃記憶體是一種特殊 ...
快閃記憶體轉換層- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia 此方式具有最好的快閃記憶體存取效率，但缺點是mapping table的大小將會很大。 對於嵌入式的應用而言，RAM memory是 ...
FLASH快閃記憶體- 台灣Wiki 2013年8月23日 ... NAND 快閃記憶體的缺點在於讀速度較慢，它的I/O 埠只有8 個，比NOR 要少多了。 這區區8 個I/O 埠只能 ...
行動儲存裝置的優缺點及未來發展的前景為何？ - Yahoo!奇摩知識+ 請問行動儲存裝置(硬碟、光碟、快閃記憶體、網路)的優缺點及未來發展的前景為何？
