奈米通訊。第七卷第三期1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(III) 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(III). 林鴻志國家奈米元件實驗室研究員. 基板 工程(Substrate Engineering). 在此所謂的基板工程，是指對矽基板的通道中及其 ...
奈米通訊。第七卷第一期1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(I) 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(I). 林鴻志. 國家奈米元件實驗室研究員. 前言. 日進千里的積體電路技術造就電腦，通訊與網路業的蓬勃發展，而其進步的原動力， ...
國研院奈米實驗室- 奈米通訊 - 國家奈米元件實驗室 - 國家實驗研究院 研究成果摘要. 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(I), 林鴻志 ... 劉伯村、張鼎張、施 敏. 金屬雜質於DUV光阻中擴散及吸附行為之研究(II), 楊金成、林富祥、王美雅、
奈米通訊。第七卷第一期 - 國家奈米元件實驗室 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(I), 林鴻志. 13. 電鍍銅製程之廢液處理, 吳世全. 18. 金屬雜質於DUV光阻中擴散及吸附行為之研究(II), 楊金成、林富祥、王美雅、 ...
Chapter 2 奈米金氧半電晶體2.1 簡介 - Advanced Silicon Device and ... 件的尺寸己接近其物理極限，因此， 在此未來的奈米元件技術如何發展才能延續摩爾 ... 雖離量產還有一段距離，但隨著元件的發展走向物理極限之時，金氧半電晶體 ...
CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究__國立清華大學 ... 本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench ... [6] 林鴻志, "奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(I)", 奈米通訊第七卷第一 期 ...
奈米通訊。第七卷第二期1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II ... 2014年6月17日 ... 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 林鴻志家奈米元件實驗室研究員極電極( Gate Electrode) (一) 雙多晶(dual-poly)矽閘極目前先進的250和180 ...
奈米通訊。第七卷第二期1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II)-癮 ... 電晶體消耗功率-奈米通訊。第七卷第二期1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 林鴻志家奈米元件實驗室研究員極 ...
奈米通訊。第七卷第二期1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II ... 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 林鴻志家奈米元件實驗室研究員極電極( Gate Electrode) (一) 雙多晶(dual-poly)矽閘極目前先進的250和180奈米CMOS電路 ...
