奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢 - 國家奈米元件實驗室 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(I). 林鴻志. 國家奈米元件實驗室研究員. 前言. 日進千里的積體電路技術造就電腦，通訊與網路業的蓬勃發展，而其進步的原動力， ...
奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢 - 國家奈米元件實驗室 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II). 林鴻志. 家奈米元件實驗室研究員. 極電極(Gate Electrode). (一) 雙多晶(dual-poly)矽閘極. 目前先進的250和180奈米CMOS ...
奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(III) - 國家奈米元件實驗室 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(III). 林鴻志國家奈米元件實驗室研究員. 基板工程(Substrate Engineering). 在此所謂的基板工程，是指對矽基板的通道中及其 ...
奈米通訊 - 國家奈米元件實驗室 - 國家實驗研究院 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(I), 林鴻志 ... 會計：余郁娟 執行編輯：余郁娟 美術編輯：余郁娟 出版者：國家亳微米元件實驗室出版委員會 登記證：行政院新聞局 ...
Chapter 2 奈米金氧半電晶體2.1 簡介 - Advanced Silicon ... 件的尺寸己接近其物理極限，因此， 在此未來的奈米元件技術如何發展才能延續摩爾 ... 雖離量產還有一段距離，但隨著元件的發展走向物理極限之時，金氧半電晶體 ...
CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究__國立 ... 本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench ... [6] 林鴻志, "奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(I)", 奈米通訊第七卷第一期 ...
奈米通訊。第七卷第一期 - 國家奈米元件實驗室 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(I), 林鴻志. 13. 電鍍銅製程之廢液處理, 吳世全. 18. 金屬雜質於DUV光阻中擴散及吸附行為之研究(II), 楊金成、林富祥、王美雅、 ...
奈米通訊。第七卷第三期 - 國家奈米元件實驗室 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(III), 林鴻志. 5. 高溫濺鍍法生成鈷矽化物之研究, 吳文發、黃新員、陳力俊. 9. 氟化非晶相碳膜製程參數及熱穩定性之研究(二) ...
低溫離子佈植對N通道場效電晶體漏電電流改善之研究 - 成功 ... 在32 奈米製程或是更先進的製程技術上，因離子佈植後所產生的缺陷需要能更有效 .... [10] 林鴻志, “奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II)”, 國家奈米元件實驗室奈米 ...
毫微米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(6455105) 來源期刊:國科會國家毫微米元件實驗室通訊卷期:7:1 民89.02 頁次:頁1-12 ... 毫微米金氧半電晶體元件技術發展驅勢 ... 以鐵催化劑薄膜低溫成長奈米碳線特性之.
