反應離子蝕刻機 - 設備名稱Equipment 2007年11月12日 - 電漿蝕刻是一種以氣體為主要的蝕刻媒介，並藉由電漿能量來驅動反應。 ... 此法的優點是擁有極佳的非等向性，蝕刻後的pattern邊緣接近90度，缺點 ...
閎康科技股份有限公司 > 乾式蝕刻及研磨去層次 利用化學溶液/氣體或研磨的方式，將IC本身的層次，包含金屬及氧化層，逐一去除，並可控制欲停留及保留的層次。 ... 在層次去除 ...
科榮股份有限公司 2008—建構中。 2003—公司已擁有120多位工作伙伴，並積極朝高...
半導體製程技術 - 國立聯合大學 選擇性蝕刻是將光阻上的IC設計圖案轉移到晶圓表面. ▫ 其他的 ... 測量在蝕刻製程中物質倍從晶圓移除的速率有多快. d = d. 0. - d .... 和氫氟酸(HF)的混合液. ▫ HNO.
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 結合氫氣乾式蝕刻及氣-固-液相成長機制製作矽的奈米線及鍺的奈米結構 ... 由於半導體奈米線具有特殊之光電特性，可用來探討量子力學對材料性質的影響，同時在積體電路和光學的應用又極具潛力，因此各種不同合成方法不斷地被提出，並引起廣泛的重視。本實驗結合乾式蝕刻及氣-固-液相(vapor-liquid-solid, VLS)成長機制來製作矽 ...
濕式清洗檯操作危害及安全防範 - 《半導體科技．先進封裝與測試》雜誌 "林義凱 / 台灣積體電路製造股份有限公司三廠工安環保部 劉美娟 / 工研院材料研究所副工程師 濕式蝕刻是最早被使用的蝕刻技術，它是利用薄膜與特定溶液間所進行的化學反應，來去除未被光阻覆蓋之薄膜。
創新STI蝕刻技術助攻 20奈米製程良率大增 - 學技術 - 新電子科技雜誌 高能量帶電粒子有助提升良率 另一方面，由於帶電蝕刻離子較易受到電漿鞘的電場加速，相較於中性粒子而言，較不受溝槽遮蔽效應影響，也因此更具有方向性移動的效益。倘若深溝槽形成的機制主要是由帶電離子(Cl+或Br+)形成，而非中性自由基 ...
反應式RIE離子蝕刻機 反應式RIE離子蝕刻機.
蝕刻(Etching) 5 濕式蝕刻 利用薄膜和特定溶液間所進行的 化學反應，來去除未被光阻覆蓋 的薄膜 優點：製程簡單、產量速度快、屬等向性蝕刻 濕式蝕刻的化學反應屬於液相及 固相的反應。 當濕式蝕刻動作進行時，溶液裡
Chap9 蝕刻(Etching) 濕式蝕刻. ◇ 利用薄膜和特定溶液間所進行的. 化學反應，來去除未被光阻覆蓋 .... 乾式蝕刻的非等向性，和離子轟擊有.
