Welcome to Career Media TFT-LCD的技術可分為「非晶矽」與「多晶矽」兩種,目前平面顯示器中技術較成熟的TFT-LCD是屬於非晶矽TFT-LCD,其主要運作原理是在彩色濾光片及刻有電晶體的導電玻璃之間灌入液晶,兩邊再貼上偏光板,並加上驅動IC、背光模組及框架。
(資料來源:資策會 MIC,2001年12月) OLED 技術: 一、 技術簡介: OLED ( 有機發光二極體 ) 新世代顯示器具有更薄、更輕、無視角且自發光等特性,可省略彩色濾光片、背光、偏光板、液晶等,昂貴材料與製程。搭配 TFT 基板作為 AMOLED ( 主動式有機發光二極體 ) 已成為下一代平面顯示器的重要 ...
奈米通訊。第五卷第二期 12.深次微米閘極技術之發展與未來趨勢(I) 第五卷第二期 深次微米閘極技術之發展與未來趨勢(I) 林鴻志 國家奈米元件實驗室 前言 互補式金氧半(CMOS)製程是最重要的半導體積體電路技術,舉凡記憶體及邏輯等多樣化的產品皆以此作為發展的原動力,相關產業也因而興盛不已。
AUO - LTPS 全球領先的薄膜電晶體液晶顯示器(TFT- LCD) 設計、研發及製造公司 ... LTPS技術 什麼是 LTPS ? LTPS (Low Temperature Poly-Silicon ) 是一種以矽為基底,由許多約為0.3 至數個um 大小的矽晶粒所組合而成的材料。
高性能之低溫多晶矽薄膜電晶體及其應用 - 國家奈米元件實驗室 結合超薄氧化矽鉿(HfSiOx)及金屬閘極(TiN)之多晶矽薄膜電晶體,其次臨界擺幅可 達. 193 mV/dec,其製程溫度最高為700 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 應用於金屬閘極整合的原子層沉積 - Semicondutor Magazine 高介電材料電晶體將益增複雜的金屬閘極整合架構,以及嶄新的低溫沉積技術如原子層沉積(ALD)帶入半導體業界。 在高介電/金屬閘極(high-k/metal gate,HKMG)技術成為高性能和低待機功率邏輯元件的主流之際,對其整合架構的急速進展進行檢討,有所助益;該 ...
技術研發 - CPT 華映新技術研發簡介 : LTPS 技術: 一、 技術簡介: LTPS ( 低溫多晶矽薄膜電晶體) TFT 具有Hight Mobility ...
View/Open 低溫多晶矽薄膜電晶體可謂當今最重要的移動裝置顯示技術;由於優越的元. 件特性, 主動矩陣低溫多晶矽 ...
利用半曝光技術之低溫多晶矽薄膜電晶體製程研究 - 國立交通大學 本論文主要討論LTPS TFT 元件製造過程中,利用縮減製程的方式,達到降低製造成本、縮減製程時間以及 ...