碩博士論文 91226050 詳細資訊 - 中文查詢介面 Analysis the characteristic of implant Si and implant N in ZnO and to investigate the ohmic contact with ...
下載 - 國立中央大學 膜(ZnO)的特性研究，氮離子以50keV、100keV、190keV 等不同能量. 分別搭配2×1014 ... 片的功函數(work function)，研究其佈植的種類與其功函數的關. 係、並藉由 ...
以紫外光增強氧化鋅奈米線場發射效能之探討 2011年4月1日 - 場增加係數β在黑暗中是1700，氧化鋅的功函數是5.3eV。在本論文中，紫外光的照射可以增加氧化鋅的場發射容量。因為氧化鋅是一種直接能隙的 ...
氧化鋅薄膜於半導體元件之應用 - 崑山科技大學 氧化鋅(Zinc Oxide，ZnO)是一種金屬氧化物材料，為II-VI 族的n 型寬能隙半導體材料. ，熔點約1975 ... Ag的功函數是4.26 eV，且為化合物半導體中普遍應用之材料。
金屬與氧化鋅薄膜接觸特性研究 氧化鋅（zinc oxide; ZnO）材料為一種多用途材料，具有光電導（photoconductive） ... 型氧化鋅薄膜上沉積具有不同功函數的金屬電極，觀察氧化鋅薄膜與金屬接觸之蕭 ...
光電工程研究所碩士學位論文氧化鋅摻雜氧化銦對P 型氮化鎵 ... 本論文研究以射頻反應式磁控濺鍍法成長氧化鋅摻雜氧化銦(Zinc oxide ...... 具有高的功函數；ITO功函數約4.6eV，而ZIO在In2O3:ZnO=90:10的比例之下，. 功函數 ...
王智祥博士研究生：陳柏亦中華民國九十七年 - 中原大學 上以不添加任何催化劑的方式，磊晶準直的氧化鋅奈米針（ZnO nanoneedle）。 ...... 效場，且氧化鋅功函數5.2~5.3 eV 大於其他場發射元件(ex：GaAs、carbon) ，.
ZnO/Si 光電元件的特性分析- 豆丁网 2010年11月18日 - 激發ZnO 和MgZnO 發光層測量其光譜特性；使用X-ray 繞射分析(XRD)來 ... Ag 的功函數小於n-ZnO 所以Ag/n-ZnO 為Ohmic Contacsts 如圖(四) ...
國立雲林科技大學電子與光電工程研究所碩士班微 本論文提出以一種新式調變導電膜功函數的方法，不但可調整薄膜之功函數， ... ZnO material was used for the TCO film based on its wide range of Fermi level ...
[問題] 摻雜後的功函數- 看板NEMS - 批踢踢實業坊 hi 各位先進!! 想請教各位當金屬摻雜到n半導體內功函數會怎樣變化我舉AZO為例,我摻雜鋁(Al)到氧化鋅(ZnO) 參雜Al為增加電洞氧化鋅的費米能階 ...
