成大研發快訊 - 文摘 - INSTITUTE OF INNOVATIONS AND ADVANCED STUDIES ... 橫跨半導體跟金屬界面之間載子的傳輸，例如熱游離跟穿隧，前面這些是發生在當金屬的功函數小於或等於半導體時。對於金屬跟n-type GaN 界面接觸(metal/n-GaN)來說，低的歐姆接觸電阻被認為主要的傳導機制是穿隧效應，尤其是在高摻雜的半導體裡。
低功函數的金屬容易與氧結合的原因 - Yahoo!奇摩知識+ 請問一下，為什麼低功函數 的金屬容易與氧結合呢？它的原因是什麼呢？謝謝。 會員登入 新使用者 ... Si 4.85 Sm 2.7 Sn 4.42 Sr 2.59 Ta 4.25 Tb 3 Te 4.95 Th 3.4 Ti 4.33 Tl 3.84 U 3.63 V 4.3 W 4.55 Y 3.1 Zn 4.33 Zr 4.05 ...
Work function - Wikipedia, the free encyclopedia Si 4.60 – 4.85 Sm 2.7 Sn 4.42 Sr ~2.59 Ta 4.00 – 4.80 Tb 3.00 Te 4.95 Th 3.4 Ti 4.33 Tl ~3.84 U 3.63 – 3.90 V 4.3 W 4.32 – 5.22 Y 3.1 Yb 2.60 Zn 3.63 – 4.9 Zr 4.05 Physical factors that determine the work function [edit] Due to the complications described
n型矽和p型矽的半導體功函數如何求得- Yahoo!奇摩知識+ 功函數（又稱功函、逸出功，英語：Work function）是指要使一粒電子立即從固體表面 中逸出，所必須提供的最小 ...
功函數差（Work function difference ） SiO2-Si MOS 二極體. 電特性最接近理想MOS二極體。 與理想二極體最大差異：a. 金屬電極與半導體之功函數差qms不為 ...
[SST精選] 整合雙功函數金屬閘極CMOS - 《半導體科技．先進封裝與 ... 為了在高摻雜基板上達成n型和p型MOSFETs，這需要兩個不同金屬閘極，且其功 函數是接近Si基座的導電帶(~4.1eV)， ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌- 整合雙功函數金屬閘極CMOS ... 為了在高摻雜基板上達成n型和p型MOSFETs，這需要兩個不同金屬閘極，且其功 函數是接近Si基座的導電帶(~4.1eV)， ...
矽含量對矽化鎢閘極電極性質及功函數的影響之特性研究 第5章 少量矽原子摻雜對鎢金屬功函數的影響(Si
16-1 - 國家奈米元件實驗室 - 財團法人國家實驗研究院 （TMSB），源極⁄汲極端之金屬矽化物之厚度（tM）與功函數 ..... and W. Haensch, “ Extreme Scaling with Ultra -Thin Si.
下載 - 國立中央大學 片的功函數(work function)，研究其佈植的種類與其功函數的關. 係、並藉由薄膜材料 中氧缺位導電機制來合理並成功的解釋 ...
