新世代元件-我國碳化矽元件發展策略 - ITIS智網 新世代元件-我國碳化矽元件發展策略. The Strategy Plan for Silicon Carbide Devices. Development in Taiwan. 作者：楊雅嵐. 江柏風. 委託單位：經濟部技術處.
SiC的產業應用 - NanoClub 由於碳化矽具有較高的飽和電子速度以及高臨界擊穿場強，是良好的微波和高頻元件材料。已製成fmax達 42G Hz以上的SiC MESFET。加之高工作溫度和高熱導率， ...
