半導體 - 維基百科，自由的百科全書 在摻雜了不同極性雜質的半導體接面處會有一個內建電場（built-in electric field），內建電場和許多半導體元件的操作原理息息相關。 除了藉由摻雜的過程永久改變電性外，半導體亦可因為施加於其上的電場改變而動態地變化。
半導體-中文百科在線 常見的品質問題包括晶格的錯位（dislocation）、雙晶面（twins），或是堆棧錯誤（stacking fault）都會影響半導體材料的特性。對於一個半導體元件而言，材料晶格的缺陷通常是影響元件性能的主因。目前用來成長高純度單晶半導體材料最常見的方法稱爲裘可 ...
二極體 概論 二極體雖然是半導體元件中結構最簡單者，而它的一些原理與特性卻是構成 其他半導體元件的基石，所以我們在此漸近且詳盡地介紹半導體的特性。以 下分成各小來說明。 純半導體 （1）在化學元素中，原子最外層軌道上的電子，我們稱之為價電子 ...
半导体- 维基百科，自由的百科全书 在絕對零度時，材料內電子的最高能量即為費米能階，當溫度高於絕對零度時，費米 能 .... 圖中也有費米能階，半導體的本征費米能階（Intrinsic Fermi level）通常以 E_i ...
摻雜半導體 由於電子多於電洞，所以電子為多數載子(Majority carriers)，電洞為少數載子(Minority carriers)。 * 將三價原子(如鋁、硼、鎵)加到本質矽晶體。三價原子被4個矽原子所 ...
N 自由電子濃度(n) = 電洞濃度(p) = 本質濃度(n ... ○n:電子濃度; p:電洞濃度 ..... 公式整理 j j w. A. C. ⋅. = ε. ) 1. 1. (. 2. D. A j j. N. N. V q w. +. = ε jo. D jo. V. V w. −. = 1.
n型半導體 半導體的導電性介於導體與絕緣體之間，所以是製作電阻的良好材料。 ... 型半導體接在一起，它們電阻的本質並無改變，結果等於是兩顆電阻串聯，只是阻值增加而已。
篇名： 當N 型與 P 型半導體相遇 作者： 而分別帶有負、正電荷，因此形成一個內建電場。當太陽光照射到這 P- N 結構時， P 型和 N 型 ...
1-16半導體的導電特性 - 首頁 2012年7月29日 - 當我們在矽固體(4A族)摻雜少量的硼原子(3A族)時，稱為「P型半導體」，P型半導體 最大的 ...
1-16半導體的導電特性 ... 一種固體原子， 在矽晶圓中加入不同的原子則會形成兩種不同型態的 半導體，分別稱為「 N型半導體」與「 ...
