指導教授 專題學生：賴名達：賴名達魏銘逸 量測方法 量測步驟 將on-wafer取出，放入黑箱壓針並量測 DC 特性，檢察ID-VG特性是否吻合 MOS 特性。 將量測出來 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 汞探針量測系統及其在介電薄膜特性分析上之應用簡介 - Semicondutor Magazine 藉由替代以正弦信號量測電容的方式，在 MOS電容的量測上，汞探針系統使用了波函數產生器及反應靈敏的積分器，如 ...
4210-CVU - Total solution for I-V, C-V, pulse characterization, and reliability testing - Keithley I 電容電壓 (C-V) 量測常用於閘極氧化層品質的深入研究。Model 4200-SCS配備C-V儀器模組，可簡化 MOS電容量測的測 ...
Hiteck Supercap 2 - 勝特力 >電子零件|電子材料|儀器|網路郵購|電子商務網站|台灣 > 首頁 直流電內阻(Ω) 洩漏電流(mA) (保持1小時後測量) ≦0.2 mA 內阻 ≦100 Ω 充放電特性(充放電循環1000次平均植) 0% 使 ...
應用電漿佈植氮化及矽覆蓋層以提升具有矽化鍺或鍺通道之金氧半元件電特性研究__國立清華大學博碩士論文 ... 之 MOS 電容量測和模擬的C-V 曲線圖..... 65 圖4-8 具有不同矽覆蓋厚度(a) Ge_3 (b) Ge_5 (c) Ge_7 及純鍺虛擬基 ...
半導體電容量測 Flory Tsai - 為電子工程師提供在線研討和在線座談的互動平台 - 在線研討會网站 電容量測 令人感到挫折! •沒有簡單的方法可以從一部獨立的電容錶取得量測資料，並匯出 ... NMOS- CAP 預期的曲 ...
MOS 結構的電容-電壓曲線之量測與應用 題名: MOS結構的電容-電壓曲線之量測與應用. 其他題名: Capacitance-Voltage Curve of MOS Structure: Measurement and Application. 描述: 碩士國立清華大學 ...
MOS結構電晶體 2. “電容-電壓”量測----金-氧-半電容(MOS. Capacitor). • MOS C-V 量測分析之主要項目：. – 基板摻雜型態(substrate doping type). • 若在負閘極偏壓下，高頻電容很.
指導教授：林智玲專題學生：賴名達魏銘逸 將量測出來的晶片，如果吻合編號並注. 記。 在電容量測前，將導線可能的寄生電容. 歸零，排除可能引響寄生電容。 將符合特定的MOS量測電容特性。 (A) DC 特性量 ...
31.汞探針量測系統及其在介電薄膜特性分析上之應用簡介 線。如此可以有效地降低旁路電阻所造成的. 干擾。 藉由替代以正弦信號量測電容的方式，. 在M O S電容的量測上，汞探針系統使用了波. 函數產生器及反應靈敏的積分 ...
