電容 - 維基百科，自由的百科全書 在 電路學 裏，給定 電勢差 ， 電容器 儲存 電荷 的能力，稱為 電容 （ capacitance ），標記為 C 。採用 國際單位制 ，電容的單位是 法拉 （ farad ），標記為 F 。 平行板電容器 是一種簡單的電容器，是由互相平行、以空間或 介電質 隔離的兩片薄板 導體 ...
金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書 金屬氧化物半導體場效電晶體 （簡稱： 金氧半場效電晶體 ； 英語 ： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ， 縮寫 ： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ...
MOSFET的操作原理 MOSFET應該是人類使用最多的電晶體種類，. 特別是在電腦及通訊相關的電子設備中，大量. 的這種電晶體開關幫助我們處理、運算及記憶. 大量的數據。由於MOSFET ...
金屬-氧化物-半導體場效電晶體 Page 1. Chapter 10 金氧半場效電晶體的基. 礎. 投影片版權屬滄海書局，請勿任意複製!! Page 2. 10.1 兩端點MOS結構. 2. Chapter 10 金氧半場效電晶體的基礎 ...
金屬氧化物半導體場效電晶體- 维基百科，自由的百科全书 [编辑]. 金氧半場效電晶體在1960年由貝爾實驗室 ...
金屬氧化物半導體場效電晶體 金屬氧化物半導體場效電晶體，簡稱金氧半場效電晶體（Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是 ...
VLSI概論 Introduction to VLSI 電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容（接到輸出端的汲極區域）及其他寄生電容與 ... = Cgs ＋ Cgb ＋ Cgd 影響電路工作速度的閘極電容 雖然MOS在不同工作模式，不同偏壓下，整個電容效應值就會有差異；然而閘極電容Cg卻近似於「閘--氧化層 ...
四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ... n通道MOSFET(NMOS)結構圖及電路符號. MOSFET應該是人類使用最多的電晶體種類，. 特別是在電腦及通訊相關的電子設備中，大量. 的這種電晶體開關幫助我們 ...
金氧半電晶體（MOSFET） 金氧半二極體、電晶體及其電性討論. Chapter 6 金氧半場效電晶體及相關元件. MOSFET. 為一四端元件，。 由一個MOS二極體與兩個相鄰的pn接面所構成。 為積體 ...
第四章電路性能分析.ppt 因 此對於CMOS而言，它至少會有兩個閘極電 容：一個為PMOS上的電容，另一個 ... 金 屬單層多晶矽製程而言，若是雙層金屬雙層多晶 矽的製程技術，就還要考慮第二 ...
