電子電路相關的FAQ 基礎知識： 何謂「主動元件(active device)」與 「被動元件(passive device)」？ 不管元件是拿來當SWITCH還是amplifier，都是外加能量來使內部產生接面 ...
心得報告 - 國立清華大學 - 教學發展中心 讀書小組研讀資料 壓力感測器之模擬分析與元件設計 98 年 10 月 15 日 時間 18 時 30 分至 21 時 30 分 地點 工一 524 蔡明翰 記錄人 鄭惟仁 壓力計種類與原理 導讀人以簡報方式進行導讀，導讀內容與討論並行。 研讀摘要與心得
金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書 金屬氧化物半導體場效電晶體 （簡稱： 金氧半場效電晶體 ； 英語 ： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ， 縮寫 ： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ...
金屬氧化物半導體場效電晶體 金屬氧化物半導體場效電晶體，簡稱 金氧半場效電晶體 （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET ）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體（field-effect transistor）。MOSFET依照其 「通道」
金屬氧化物半導體場效電晶體- 维基百科，自由的百科全书 金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect ..... 實作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克利等人發明的雙載子接面電晶體 ...
第四章電路性能分析.ppt 電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容（接到輸出端的汲極區域）及其他寄生電容 ... 雖然MOS在不同工作模式，不同偏壓下，整個電容效應值就會有差異；然而閘極 ...
國立中央大學 被動元件的部份主要是探討旁路電容佈局之連線效應，而設計之電路. 主要包括 ..... 3-2 低雜訊放大器之重要參數與MOSFET 的雜訊. ..... 圖4.3.9 所有MOS 的寄生電容.
POWER MOSFET - 電力電子應用研究室 電力電子元件POWER MOSFET是為一個三端點元件，其三端分別為閘極、源極及汲 ... 導通，POWER MOSFET的閘源極間存在一個寄生電容，驅動POWER MOSFET ...
功率MOSFET 基础：了解MOSFET 与品质因数有关的 ... - Vishay 详细介绍了沟槽MOSFET 结构的基本结构，进而确定了寄生. 元件，定义了相关术语 ... BHFFOM(1)，它假设主要开关损耗与输入电容（Ciss）充/. 放电有关。第三种方法 ...
FET數位電路 由n-channel MOSFET及p-channel MOSFET組合而成，兩者具有互補作用，故稱 ... 當Vi = 0V時，Qp導通且Qn不導通，VDD經由Qp向輸出端寄生電容C充電。由於Qp ...
