MOSFET結構及其工作原理詳解 2013年3月27日 ... MOSFET結構及其工作原理詳解. ... 電壓來控製漏極電流，驅動電路簡單，需要的 驅動功率小，開關速度快， ...
金屬氧化物半導體場效電晶體- 維基百科，自由的百科全書 考慮一個p型的半導體（電洞濃度為NA）形成的MOS電容，當一個正的電壓VGB施加 在閘極與基極端（如圖） ... 此處VDS為NMOS汲極至源極的電壓，則這顆NMOS為 導通的狀況，在氧化層下方的通道也已形成。
MOS管的工作原理 - li391402的專欄 - 博客頻道 - CSDN.NET P溝道和N溝道MOS的原理要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產生正向工作電流ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。 當在NMOS的柵上施加相對於源的正電壓VGS時，柵上的正電荷在P型襯底上感應出 ...
布魯斯 林桑寫的部落格: Open Drain 的原理與應用 OPEN Drain Pin表示該腳位的電路結構只有一個MOS FET，而此MOS FET的源極(Source)接地，它的汲極(Drain)空接(就是輸出點)。此種電路與TTL的OPEN Collector相似，通常需外加PULL-UP電阻，作用是驅動不同電壓的裝置。
