電容 電容器串聯之目的，在於使各電容器承擔一部分電壓，以增強耐壓能力。 電容器之並聯組合 電容器之並聯電路 設有三個電容器並聯連接，其電容量分別為 C1、 C2及 C3，如上圖所示。施以 電壓 V，各電容器的端電壓相同（因為並聯）；電容器充電後所儲存 ...
電容 - 維基百科，自由的百科全書 在 電路學 裏，給定 電勢差 ， 電容器 儲存 電荷 的能力，稱為 電容 （ capacitance ），標記為 C 。採用 國際單位制 ，電容的單位是 法拉 （ farad ），標記為 F 。 平行板電容器 是一種簡單的電容器，是由互相平行、以空間或 介電質 隔離的兩片薄板 導體 ...
电容器 - 维基百科 電容器：左上方是SMD陶瓷電容；左下方是SMD鉭質電容 ；右上方是直插鉭質電容；右下方是直插电解電容；尺的大刻度為公分。 電容器（Capacitor）是兩金屬板之間存在絕緣介質的一种电路元件。其單位為 ... ...
MOS 的Surface potential 之探討 - My University: Home 的心臟是一個稱為 MOS 電容 的金屬－氧化物－半導體結構。當在 MOS 電容上外加一個電壓時，在半導體之中接近氧化物－半導體界 ...
金屬氧化物半導體場效電晶體- 维基百科，自由的百科全书 基極與源極沒有直接相連的金氧半場效電晶體會出現基板效應（body effect）而部份 .... 而言亦有其他優點，例如較不需考慮邏輯閘輸出端的負載效應（loading effect）。
MOSFET的操作原理 應用電子學7-4中興物理孫允武. MOSFET的操作原理 p n+. 源極. (S). 閘極. (G) n+. 金屬. (Metal). 氧化層(Oxide). 半導體(Semiconductor). 基板本體. (Body). 汲極. (D).
金氧半二極體、電晶體及其電性討論 為積體電路中最重要的電路元件，因為比起相同功能的BJT（雙極性電晶體）：; 面積小 ，可增加 ... 綜合以上所述，可知理想的MOS二極體相當於一個平行板電容器的特性.
金屬-氧化物-半導體場效電晶體 負電壓施加在閘極時，金屬閘極和n型半導體基板. 的MOS電容器能帶圖。此情形下， 金屬和半導體. 的功函數差定義為. 16. Chapter 10 金氧半場效電晶體的基礎 ...
mos電容 - 欣鴻工程股份有限公司 :: 的 MOS電容器能帶圖。此情形下，金屬和半導體. 的功函數差定義為. 16. Chapter 10 金氧半場效電晶體的基礎 ... ...
英特爾1GHz高速互連技術、使用MOS電容器 - 電子零件 - 日經技術在線！ - 工程師的技術支援資訊網站 英特爾1GHz高速互連技術、使用 MOS電容器 2004/02/17 09:04 美國英特爾日前開發出了用於高速光佈線（互連）的矽 ...
