新型式的降壓轉換設計並且實現PWM升壓轉換器 新型式的降壓轉換設計並且實現PWM升壓轉換器 作者：Christian Schimpfle / Jörg Kirchner, Texas Instruments 本文刊登於半導體科技 2004年11月 ... 摘要 本文針對升壓轉換器介紹一種新型式的輸出穩壓技術，它不但節省電路板面積，就算輸入電壓高於輸出電壓 ...
HT77XX DC/DC轉換器的使用 HT77XX DC/DC轉換器的使用 4 內容可供用戶參考。 • 一般的儀器（如電源、電子裝載）在使用中有一定的限制（如帶寬），不能直接從其面板 上讀出電流和電壓的RMS值。 • 用RMS萬用表或其他精確儀器測量電流和電壓。
300B - Hacker Audio 300Bse單端擴大機 5842-300Bse單端擴大機 現代音響曾發表過真空管後擴大機的文章，分別是： 1. 第113期1997/12：Audio Note Kit One單端300B完全套件製作 2. 第2期1983/12：Futterman NCP-1(包括唱頭放大，電源供應器)
ncwvideo.htm 王迺愨老師的教學錄影帶清單 real player address: ncwvideo.htm 中央大學 光電研究所 NCU-IOE 王迺愨老師的教學錄影帶清單 real player address: 葉則亮錄影 張建風 廖信凱 黃聖原 陳凱志 轉檔, rev tlyeh 91,8,24 92,4,25 92,9,27 93,8,29 ※ ...
半導體第六章 - Upload, Share, and Discover Content on SlideShare 金氧半二極體、電晶體及其電性討論 Chapter 6 金氧半場效電晶體及相關元件 ... Transcript 1. 金氧半二極體、電晶體及其電性討論 Chapter 6 金氧半場效電晶體及相關元件
開啟檔案 電容-電壓”量測(3) ----金-氧-半電容(MOS Capacitor). MOS C-V 量測分析之主要 項目：. 基板摻雜型態(substrate doping type). 若在負閘極偏壓下，高頻電容很大，而 在 ...
越吟有限公司：文章摘要 回到上一頁 High-k/Metal Gate於奈米電晶體元件之特性應用 [ 本篇摘要 ] 隨著半導體元件近年來的迅速發展，至今金氧半場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)的量產平台已進入45奈米尺寸，由於MOSFET的元件特性在45奈米 ...
金氧半電容- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia 在P型基板超薄氧化層金氧半電容或MOS（p）中，空乏區的閘極電流主要由電洞 ... 第三項係電洞之蕭基二極體電流公式乘上電洞穿隧過氧化層的機率，由於第三項是 ...
賴聰賢博士超薄高介電值氧化層 - eThesys 國立中山大學學位論文服務 GaAs、Ga2O3(Gd2O3) / GaAs 等三種材料的MOS 電容。我們利用不同 ..... 公式， 因此只要我們有兩種不同頻率下所得的結果，便可代入公式得. 到精確的電容值C。
V - 西安电子科技大学微电子学院 MOS电容结构. 氧化层厚度. 氧化层介电常数. Al或高掺杂 .... 1.1 MOS电容空间电荷区厚度:与掺杂浓度的关系. 实际器件. 参数区间 ... 1.1 MOS电容. 功函数差:计算公式.
