閂鎖效應- 台灣Wiki 2013年9月6日 ... Latch up 的原理分析 ... ESD 和相關的電壓瞬變都會引起閂鎖效應(latch-up)是 半導體器件失效的主要 ...
闩锁效应_百度百科 1简介. 2Latch up 的原理分析 ... ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应(latch-up )是半导体器件失效的主要原因之一。
latch up_百度百科 Latch up 的原理分析Q1为一垂直式PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极到. 集电极( collector)的增益可达数百倍;Q2是一侧面 ...
何謂latchup(VLSI) - Yahoo!奇摩知識+ 請問什麼是latchup...可以說明一下原理嗎?如果有圖片會更好~~那解決latchup辦法 是?
Latch up Latch up 的原理分析(二). Q1为一垂直式PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极到. 集 电极(collector)的增益可达数百倍;Q2是一 ...
闩锁效应(latch up) 第一部分latch up 的原理. 我用一句最简单的话来概括,大家只要记住这句话就行了: latch-up 是PNPN 的连接,本. 质是两 ...
闩锁效应_互动百科 闩锁效应- Latch up 的原理分析. Q1为一垂直式PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极 到集电极(collector)的增益可达数百 ...
Latch up 的定义 - 互动百科 Latch up 的原理分析Q1为一垂直式PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极到集电极( collector)的增益可达数百倍;Q2是一侧面 ...
Re: [問題] 數位電路閂鎖(latch up)的問題- 看板Electronics - 批踢 ... 你只要了解latch-up的原理,就可以避免它,這點,我就不在這多說明,書本與網路上 都有資料。最直覺的 ...