第三章電晶體 前面所述的接合型電晶體都是以電洞和電子兩種載體同時傳導電流，所以又稱為雙 極性電晶體。而接著要說明的場效電晶體 ...
接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor, JFET) 應用電子學7-45中興物理孫允武. 接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor, JFET). 源極. (Source). 汲極(Drain). 閘極. (Gate)1 n p+. 空乏區. 閘極(Gate)2 p+.
晶体管- 维基百科，自由的百科全书 幾個不同大小的電晶體，由上到下的包裝分別是TO-3、TO-126、TO-92、SOT-23 ... NPN型晶體管示意圖 ... 種類很多，依工作原理可粗分為雙極性接面晶體管（bipolar junction transistor,BJT）和 ...
四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ... n通道MOSFET(NMOS)結構圖及電路符號. MOSFET應該是人類使用最多的電晶體種類，. 特別是在電腦及通訊相關的電子設備中，大量. 的這種電晶體開關幫助我們 ...
Field Effect Transistor 場效電晶體 2 比較 載子 雙載子 單載子 （場：電場） 漂移電流 主要為擴散電流 (射極發射) 電流 場效電晶體 FET 雙載子接面電晶體 BJT
電晶體 （Transistor） - 高瞻自然科學教學資源平台 電晶體 （Transistor） 國立台南女子高級中學物理科邱世寬老師/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯 電晶體 （transistor）是半導體元件(semiconductor device)之一，一般常用於電子訊號的放大(amplify)或者當成開關(swich)使用。
電子學 重點整理 P通道左右相反 例：某一接面型場效電晶體(JFET)有8mA的IDSS和－4V的VP，已知汲極電流為2mA，則其VGS等於 -2V 增強型MOSFET結構與符號(原本沒有通道) 例：在P通道增強型MOSFET工作時，閘極必須加 電壓 ...
第四章 電晶體 公式 電流增益 AI ＝ ；電壓增益Av ＝功率增益Ap＝＝電壓增益Av ×電流增益 AI ... gm= gm為JFET之順向轉換互導，單位為姆歐 三、分貝公式 分貝以dB表示 log10(A ×B)＝log10A+log10B； ；log101=0 總電壓增益為各級電壓增益相乘AvT = Av1 ...
场效应管- 维基百科，自由的百科全书 所有的FET都有栅极（gate）、漏极（drain）、源极（source）三个端，分别大致对应雙極性電晶體的基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。除了結型場效應管 ...
Junction Field Effect Transistor or JFET Tutorial Electronics Tutorial about Junction Field Effect Transistor also known as the JFET Transistor used in Amplifier and Transistor Switching Circuits.
