OLED製程介紹與應用 - 《半導體科技．先進封裝與測試》雜誌 ... 錸寶科技公司是少數同時發展OLED和PLED的公司。在本文中，主要介紹小分子OLED，首先將會介紹OLED原理，其次介紹相關關鍵製程，最後會介紹目前OLED ...
義 守 大 學 摻雜以何種方式為最佳，最後加上一層電洞阻擋層來提升元件效率。 電洞注入材料為m-MTDATA，電洞阻擋層為Bphen，當F4-TCNQ 摻 雜濃度為1%，摻雜區域位於電洞注入層中間，電洞阻擋層厚度為12.5A、時，元件特性最佳。元件結構如下: ITO/m-MTDATA、 ...
第一章 - 南台科技大學知識分享平台: EshareInfo 結果與討論 4.1. 4 3%Ni ITO功函數觀察 由功函數的量測結果顯示，在純ITO膜使用UV臭氧(UV Ozone)表面處理後，功函數可達到5.15eV左右，而3%Ni-ITO膜的功函數可達到5.85eV，附錄1為AC-2之功函數能譜圖。功函數的改善有助於降低ITO/CuPc間的位能障，進而 ...
功函數 - 維基百科，自由的百科全書 功函數（又稱功函、逸出功，英語：Work function）是指要使一粒電子立即從固體表面中逸出，所必須提供的最小能量（通常以電子伏特為單位）。這裡「立即」一詞表示最終電子位置從原子尺度上遠離表面但從微觀尺度上依然靠近固體。功函數是金屬的 ...
結果與討論 - 南台科技大學知識分享平台: EshareInfo 1 結果與討論 4.1.4 3%Ni ITO 功函數觀察 由功函數的量測結果顯示，在純 ITO 膜使用UV 臭氧(UV Ozone) 表面處理後，功函數可達到5.15eV 左右，而 3%Ni-ITO 膜的功函數可達到 5.85eV ，附錄 1 為AC-2 之功函數能譜圖。功函數的改善有助於降低 ITO/CuPc 間的 ...
利用鎳摻雜銦錫氧化物（ITO）陽極提高有機發光二 極體（OLED）注入效率的結構及其方法 Ni掺雜ITO陽極與OLED結構 本專利是一種利用鎳摻雜銦錫氧化物（ITO）陽極提高有機發光二極體（OLED）注入 效率的結構及其方法，該方法以濺鍍的方式，使ITO基板之陽極表面形成有Ni摻雜在 上；藉此，ITO陽極之表面功函數可提高，致可大幅降低ITO陽極與電洞 ...
功函數差 - 機械工程師 *用Fowler-Nordheim公式測定ITO功函數的研究 Study of Work Functi.. 【簡介】通過製備雙邊註入型單載流子器件ITO/TPD(NPB)/Cu,運用Fowler-Nordheim(F-N)公式變換,消除了載流子有效質量和器件厚度因素的影響,提高了測量的精度,簡單準確地測定了ITO的功 ...
逢 甲 大 學 及其元件壽命，同時產生較高的ITO表面功函數 ，使得降低元 件陽極接觸的界面位障，進而提升電洞注入有機層效率，以 及降低元件操作電壓，更進一步增加元件發光效率，根據實 驗數據推斷分析得知，這是因為準分子雷射照射引發 ...
碩博士論文 100226054 詳細資訊 ... 特性。根據本實驗結果，當功函數越高，電池的開路電壓明顯提高，元件效率也提升。當ITO功函數為4.36 eV，光電轉換效率為3.8%；若將功函數提升為5.20 eV可得最佳轉換效率8.3% ...
成大研發快訊 - 文摘 - 國立成功大學國際會議暨專案用伺服器 圖2. 具不對稱功函數源極與汲極的P3HT-OTFT元件製程 (a) 已製作完成ITO電極與SiO2絕緣層之玻璃基板 (b) 將其中一電極以金屬遮罩保護，另一電極以準分子雷射照射處理 (c) 將金屬遮罩移除完成一不對稱式汲極與源極電極 (d) 噴印上P3HT ...
