高電子移動率電晶體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia 高電子移動率電晶體（英語：High electron mobility transistor, HEMT）, 也稱調變摻雜 場效應管（modulation-doped FET, MODFET）是場效應管的一種，它使用兩種具有 ...
砷化鎵高電子移動率電晶體磊晶片 - 全新光電股份有限公司 砷化鎵高電子移動率電晶體磊晶片（HEMT or MESFET Epi Wafer）. 砷化鎵高電子 移動率電晶體元件的主要優點在於：. 低射頻雜訊、高頻率響應、高切換速度、高頻寬、 ...
AlGaN/GaN高電子遷移率電晶體(HEMTs)直流電性測試__國立交通 ... 氮化鎵高電子遷移率電晶體在高溫、高頻及高功率工作環境下的優秀表現使其得以 應用於軍用雷達系統、個人行動電話與基地台等用途上，又元件於直流偏壓狀況下的 ...
微波積體電路元件：高電子移動率電晶體 - 越吟有限公司：文章摘要 (1)金屬-半導體場效電晶體(Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor, MESFET) ； (2)高電子移動率電晶體(High Electron Mobility Transistor, HEMT)； (3)摻雜式 ...
開啟檔案 Metal-Semiconductor FET (MESFET). 2. 調變掺雜場效電晶體. Modulation-Doped FET (MODFET). 高電子移動率電晶體. High-Electron-Mobility Transistor (HEMT).
新穎氮化鎵HEMT(高電子移動率電晶體)元件生物感測器之設計與製作 ... A、B 類出國報告書撰寫格式. 1. 出國報告（出國類別)：學術研究與訪問. 新穎氮化鎵 HEMT(高電子移動率電晶. 體)元件生物感測器之設計與製作及. 其在無線照護上之 ...
新穎的微量銻通道銻砷化銦鎵/砷化鎵高電子移動率電晶體 2007年10月26日 ... 新穎的微量銻通道銻砷化銦鎵/砷化鎵高電子移動率電晶體 ... 高電子移動率電晶體( HEMT)，一方面摒除了氮元素的摻雜會造成元件內載子移動速度 ...
氮化鎵高電子移動率場效電晶體功率半導體元件特性分析__臺灣博 ... 本研究是利用Stantaurus Workbench半導體元件電性及製程整合的模擬軟體來模擬 GaN HEMT元件電性及分析，利用GaN基板上生長AlGaN作為阻擋層再以GaN覆蓋 ...
AlGaAs/InGaAs/GaAs之高電子移動率電晶體之研製__臺灣博碩士論文 ... 與無鈍化層的兩段步階通道高電子移動率電晶體比較，鈍化層的採用可以提升元件的 ... In this thesis, the high electron mobility transistors (HEMTs) with two-step ...
HEMT, High Electron Mobility Transistor - Radio-Electronics.com The HEMT or High Electron Mobility Transistor is a form of field effect transistor, FET, that is used to provide very high levels of performance at microwave ...
