物理光學 - 臺北市立建國高級中學 Taipei Municipal Jianguo High School Title 物理光學 Author Huang Last modified by 命題光碟 Created Date 2/10/2005 7:52:08 AM Document presentation format 如螢幕大小 Company My Company Other titles Arial 新細明體 標楷體 Times New Roman Wingdings Monotype Corsiva Gungsuh 預設簡報設計 ...
C18410 第八章場效電晶體之特性與偏壓 圖8-1 常見電晶體的分類. 3. 8-1 ... 增強型之特性與偏壓. 2.增強型MOSFET之工作 模式與特性曲線. 1.工作原理. (a) 電子被 ...
金屬氧化物半導體場效電晶體- 維基百科,自由的百科全書 考慮一個p型的半導體(電洞濃度為NA)形成的MOS電容,當一個正的電壓VGB施加 在閘極與基極端(如圖) ... 此處VDS為NMOS汲極至源極的電壓,則這顆NMOS為 導通的狀況,在氧化層下方的通道也已形成。
Junction field-effect transistors : Solid-state Device Theory ... Though, the extreme difficulties sidetracked them into inventing the bipolar transistor instead. Shockley's field effect transistor theory was published in 1952.