電路上(Circuit Level)的改進方法 護能力，其主要是利用ESD放電的瞬間電壓快速變化的特. 性，藉由電容耦合( coupling)作用來使ESD防護電路或元件.
宜特科技 | IC靜電防護及閂鎖試驗(ESD &Latch-up) 宜特科技-分析、檢測與可靠度、主要業務在提供IC檢測，FIB，零件可靠度，系統可靠度，IC壽命 測試等服務。 - 可靠度 ...
選擇適當ESD保護元件 被保護電路特性評估為關鍵 - 學技術 - 新電子科技雜誌 為了提升系統在遭受靜電放電(ESD)事件時的強固性，設計人員須採用多種方法來確保產品符合ESD標準，其中一種方法是在輸入/輸出(I/O)連接器等關鍵電路節點處使用保護元件，這類ESD保護元件通常稱為瞬態電壓抑制器(TVS)，是
傳輸線觸波產生器量測系統(TLPG System) - 國立交通大學 件做防護能力測試時，元件所能承受的最大靜電放電電流 ... 這些防護電路中的防護 元件，其運作原理大致可分為以下.
7-2 - 交大 307 實驗室 – Mixed-Signal, Radio-Frequency, and Beyond 7.2.1 VDD與VSS間的寄生元件 ESD電壓跨在VDD與VSS電源線之間，除了會造成IC 內部電路損傷之外，也常會觸發一些寄生的半導體元件導 通而燒毀。在CMOS IC中，最常發生燒毀現象的寄生元件 就是p-n-p-n的SCR元件及n-p-n的橫向雙載子電晶體(BJT)。
8-1 電防護電路在IC的佈局中都繪製於輸入或輸出銲墊(bonding. pad)旁，以就近旁通 ... 靜電電荷累積在浮接的積體電路基體之示意圖分別顯示於. 圖8.1-2與圖8.1-3中。
節省面積的創新設計 性的ESD防護電路設計，該創新之ESD防護電路能夠提供. 有效的ESD防護於VDD與 VSS之間，達到保護IC的內部電路.
