5D75_半導體元件物理與製程-理論與實務 第一章 半導體元件物理的基礎 1.1 半導體能帶觀念與載子濃度 1.2 載子的傳輸現象 1.3 支配元件運作的基本方程式 1.4 本章習題 第二章 P-N 接面 2.1 P-N接面的基本結構與特性
金石堂網路書店-半導體元件物理與製程:理論與實務(3版) 半導體元件物理與製程:理論與實務(3版),作者:劉傳璽、陳進來,出版社:五南,ISBN:9789571163741 ... 內容簡介 top 《半導體元件物理與製程:理論與實務(3版)》 本書以深入淺出的方式,系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的 ...
5DE0_半導體製程設備技術 - 五南文化事業機構首頁 半導體製程設備 技術 Semiconductor Technology-Process and Equipment 作 者 楊子明、鍾昌貴、沈志彥、李美儀、吳鴻佑、詹家瑋 出版社別 五南 出版日期 ...
半導體製程技術 半導體製程 技術 Introduction to Semiconductor Process Technology 許正興 國立聯合大學電機工程學系 ... 八吋晶圓廠中所有的圖案蝕刻都是反應式離子蝕刻製程 三種蝕刻製程 化學性蝕刻 RIE 物理性蝕刻 樣品 濕式蝕刻、剝 除、光阻蝕刻 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 先進CMOS電晶體之金屬閘極整合化CMP製程 - Semicondutor Magazine 10pt 3>因為新材料的引入,使得高介電常數金屬閘極(high-k metal-gate, HKMG)CMOS電晶體的量產製程整合化更形複雜。後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程,兩者對最終閘極高度(gate height)與表面形貌(topography)都需要極度的 ...
互補式金氧半(CMOS)積體電路在奈米製程下之 靜電放電防護方法 1 互補式金氧半(CMOS)積體電路在奈米製程下之 靜電放電防護方法 工研院系統晶片技術中心 曾當貴 柯明道 ... 3 1. 摘要 在奈米CMOS 積體電路中,靜電放電(ESD)防護能力隨著元件的尺寸縮減而大幅 地降低,傳統的ESD 防護電路設計及方法已不堪使用,所以在 ...
半導體製程技術 Introduction to fabricated Integrated Circuits Semiconductor Material and Device Oxidation and Diffusion Lithographic technology ... 電漿製程的應用 ‧化學氣相沉積 ‧蝕刻 ‧物理氣相沉積 ‧離子佈植 ‧光阻剝除 ‧製程反應室的的乾式清洗
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 離子植入:32奈米與22奈米元件製程的新促動要素 - Semicondutor Magazine 多年來,離子植入設備供應商主要在產能與擁有成本的差異上進行競爭,邁入32奈米與22奈米製程的挑戰,開啟了新的機會,離子植入製程業已接軌,成為未來技術節點進行晶片製造的重點技術。 一開始,離子植入即為主力製程,VLSI電路因植入技術的固有 ...
Wide I/O與HMC標準帶動 3D IC矽穿孔製程需求看漲 - 懂市場 - 新電子科技雜誌 3D IC矽穿孔 製程將是實現下世代記憶體/邏輯晶片堆疊標準的關鍵技術。隨著Wide ...
半導體測試專欄:半導體製程的監視器 參數測試讓製程更完善 - 學技術 - 新電子科技雜誌 縮減手機測試費用/時間 通用無線測試儀瘋模組架構 為協助行動裝置製造商縮減產品測試成本和時間,量測業者不僅強推非信令(Non-signaling)通用無線測試儀,簡化量產測試步驟,更大力借助模組化設計,降低儀器成本,讓非信令模組化通用無線 ...