双极-CMOS集成电路(BiCMOS)_互动百科 双极-CMOS集成电路(BiCMOS) - BiCMOS器件和电路及其制造技术 ... 工艺，这种 工艺对保证CMOS器件的性能较为有利；二是以双极工艺为基础的BiCMOS工艺，这 种工艺比较张扬BJT器件的性能。图1是 ...
CTIMES- SiGe HBT技術發展概述:SiGe,CMOS,BiCMOS,耗材,支援 ... 將各種製程技術不同特性比較整理如(表一)，可發現SiGe HBT/BiCMOS可提供極佳 選擇；其中RF CMOS最近雖一直有很多 ...
CTimes - SiGe HBT技術發展概述: - SiGe,CMOS,BiCMOS,耗材,支援 ... 將各種製程技術不同特性比較整理如(表一)，可發現SiGe HBT/BiCMOS可提供極佳 選擇；其中RF CMOS最近雖一直有很多 ...
CTIMES- 無線通訊IC製程技術探微:GaAs,InP,CMOS,BiCMOS ... 表一各種無線通訊IC製程技術比較 ... 製程仍為市場主力，但近來廠商也積極發展RF CMOS與SiGe BiCMOS等製程技術。
CTIMES- SiGe HBT技術發展概述:SiGe,CMOS,BiCMOS,耗材,支援 ... 2001年6月1日 ... 將各種製程技術不同特性比較整理如(表一)，可發現SiGe HBT/BiCMOS可提供極佳 選擇；其中RF CMOS ...
硅工艺集成技术－－－BiCMOS工艺及其工艺流程_laoxiang_新浪博客 另外，从0.8微米、0.5微米BiCMOS和CMOS技术比较表明，BiCMOS技术的成本比 CMOS技术稍有增加，但性能却提高一倍。
BiCMOS工艺及其工艺流程_lihe518522_新浪博客 2012年3月22日 ... 另外，从0.8微米、0.5微米BiCMOS和CMOS技术比较表明，BiCMOS技术的成本比 CMOS技术稍有增加， ...
應用於混合訊號與射頻系統級封裝的IC技術 - 半導體科技 由於成本、可製造性以及比標準CMOS好的RF特性，SiGe BiCMOS技術被廣泛地 應用在類比系統分割中。 ... 從性能的比較可以發現，由於具有較高的操作電壓以及較 低的寄生電阻，0.25微米RF CMOS的特性 ...
BiCMOS產業產品發展現況與展望 - 顯示報告內容 現雖已逐漸被CMOS取代，但在中高頻無線通訊IC和Smart Power IC日漸興起， BiCMOS技術也隨之水漲船高，廣受重視。
双极型器件及电路制造技术——BiCMOS集成电路 - 金属材料专业知识 ... CMOS、双极晶体管和BiCMOS在速度和功耗方面的比较. 双极-CMOS兼容工艺技术 （BiCMOS）的出现终于满足了电路同时 ...
