[SST精選] 整合雙功函數金屬閘極CMOS - 《半導體科技．先進封裝與 ... 為了在高摻雜基板上達成n型和p型MOSFETs，這需要兩個不同金屬閘極，且其功 函數是接近Si基座的導電帶(~4.1eV)， ...
成大研發快訊 - 文摘【第十七卷 第十期】 氧 化鋅材料近來由於其絕佳的物化學特性及能將各種奈米結構應用於場發射上而備受矚目，一些論文也提出藉由添加電負度材料的方法來增強場發射係數，減少氧化鋅奈米結構的屏蔽效應並改變其功函數；而Bae et al.使用脈衝雷射沉基法在矽基板上來合成C ...
功函數(work function)- 微電子百科,半導體百科-中國微電子網 Ag 4.26 Al 4.28 As 3.75 Au 5.1 B 4.45 Ba 2.7 Be 4.98 Bi 4.22 C 5 Ca 2.87 Cd 4.22 Ce 2.9 Co 5 Cr 4.5 Cs 2.14 Cu 4.65 Eu 2.5 Fe 4.5 Ga 4.2 Gd 3.1 Hf 3.9 Hg 4.49 In 4.12 Ir 5.27 電。5--6#n+\/ iilag K 2.3 La 3.5 Li 2.9 Lu 3.3 Mg 3.66 Mn 4.1 Mo 4.6 Na 2.75 N
Title page for 962203052 - 中文查詢介面 表4-4 磷酸吸附在Al的功函數59 表4-5 磷酸吸附在ITO上的接觸角60 表4-6 苯基磷酸吸附在ITO上的接觸角61 表4-7 長碳鏈磷酸吸附在ITO上的功函數66 表4-8 苯基磷酸吸附在ITO上的功函數66
有機電激發光元件 陰極必須是一個低功函數的金屬. – 陽極則需要用一個高功函數的材料去配合，才. 可得到最低的注入能障。 陰極功函數對於電子注入的影響程度. • Stossel et al.以真空 ...
應用於金屬閘極整合的原子層沉積 - 半導體科技 然而，於選擇合適的金屬閘極時，有效功函數(effective work function)的控制為最重要 ... 閘極NMOS金屬堆疊，採用薄TiN層與Ti/Al混合物以設定正確的有效功函數[9] 。
鉻/金(Cr/Au)於n-GaN形成歐姆接觸之研究 - 成大研發快訊- 文摘 2008年11月14日 - 在n-type GaN 元件中，Ti/Al-based 金屬接觸是最普遍的雙層金屬系統，主要是他們的功函數較低但Ti/Al雙層金屬經由中等溫度範圍的熱回火之後， ...
Work function - Wikipedia, the free encyclopedia Ashcroft; Mermin (1976). Solid State Physics. Thomson Learning, Inc. Goldstein, Newbury; et al. (2003). Scanning Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis.
功函數- 王朝網路- wangchao.net.cn 功函數. ... 功函數的大小通常大概是金屬自由原子電離能的二分之一。 ... 金屬功函數 金屬功函數金屬功函數金屬功函數金屬功函數金屬功函數Ag 4.26. Al 4.28. As
鎢合金應用於高功函數金屬閘極金氧半電晶體之電特性研究 第三部份我們為了得到較佳的元件結構，並使用ALD沉積不同的high-k材料作為介電層，分別為HfO2和HfAlxO(Hf:Al=2:1)，並應用於高功函數金屬閘極。由實驗結果得 ...
