功函數 - 維基百科，自由的百科全書 能夠證明如果我們定義功函數 為把電子從固體中立即移出到一點所需的最小能量，但是表面電荷分布的效應能夠忽略，僅僅留下表面偶極子分布。如果定義帶來表面兩端勢能差的有效表面偶極子為 ...
功函数- 维基百科，自由的百科全书 能够证明如果我们定义功函数为把电子从固体中立即移出到一点所需的最小能量， 但是表面电荷分布的效应 ...
使用多層陽極、陰極結構製作上發光型有機發光二極體 Cathode 圖 2 比較元件d-g 不同陰極結構(a) 亮度；(b) 發光效率，對電流密度曲線 圖 3 比較元件h-k 不同電洞注入層及電洞傳輸 層結構(a) 亮度；(b) 發光效率，對電流密度曲 線. 圖 4 比較元件l-n 不同電子傳輸層厚度(a) 亮
第一章 - 南台科技大學知識分享平台: EshareInfo 結果與討論 4.1. 4 3%Ni ITO功函數觀察 由功函數的量測結果顯示，在純ITO膜使用UV臭氧(UV Ozone)表面處理後，功函數可達到5.15eV左右，而3%Ni-ITO膜的功函數可達到5.85eV，附錄1為AC-2之功函數能譜圖。功函數的改善有助於降低ITO/CuPc間的位能障，進而 ...
功函數差 - 機械工程師 *用Fowler-Nordheim公式測定ITO功函數的研究 Study of Work Functi.. 【簡介】通過製備雙邊註入型單載流子器件ITO/TPD(NPB)/Cu,運用Fowler-Nordheim(F-N)公式變換,消除了載流子有效質量和器件厚度因素的影響,提高了測量的精度,簡單準確地測定了ITO的功 ...
[SST精選] 改善金屬閘極的功函數控制- 《半導體科技．先進封裝與 ... 而實現金屬閘極的一個關鍵挑戰，是如何選擇具有合適功函數(workfunction)的金屬。如何做出正確的選擇是 ...
國立雲林科技大學電子與光電工程研究所碩士班微 本論文提出以一種新式調變導電膜功函數的方法，不但可調整薄膜之功函數， ... ZnO material was used for the TCO film based on its wide range of Fermi level ...
光電子能階分析在奈米有機半導體上 之應用 http://www.materialsnet.com.tw 96年11月 251期 工業材料雜誌 101 材料檢測分析技術專題 能量值後，即可計算出特定軌域電子之束 縛能，而依最小之束縛能鑑定表/ 介面之 HOMO 能階，最小之動能鑑定其功函數，
功函數_百科 Si 4.85 Sm 2.7 Sn 4.42 Sr 2.59 Ta 4.25 Tb 3 Te 4.95 Th 3.4 Ti 4.33 Tl 3.84 U 3.63 V 4.3 W 4.55 Y 3.1 Zn 4.33 效應 金屬的功函數W與它的費米能級密切相關但兩者並不相等 這是因為真實世界中的固體具有錶面效應 真實世界的固體並不是電子和離子的無限延伸 ...
成大研發快訊 - 文摘 - INSTITUTE OF INNOVATIONS AND ADVANCED STUDIES ... 橫跨半導體跟金屬界面之間載子的傳輸，例如熱游離跟穿隧，前面這些是發生在當金屬的功函數小於或等於半導體時。對於金屬跟n-type GaN 界面接觸(metal/n-GaN)來說，低的歐姆接觸電阻被認為主要的傳導機制是穿隧效應，尤其是在高摻雜的半導體裡。
