Intel推3D電晶體技術 - Facebook 早前Intel表示很快將會有極具意義的技術發佈，而近日就已經發佈了這個被稱之為三柵極3-D電晶體的革命性技術，該技術已經秘密研發了很長時間並且已經成功地被 ...
跳脫製程技術極限思維3D IC再續摩爾定律 - 新通訊元件雜誌 英特爾(Intel)創辦人之一的摩爾(Gordon Moore)在1965年預測單一矽晶片的電晶體數目，每隔18月將會增加一倍(圖1)，這就是著名摩爾定律(Moore's Law)的原由。
多閘極電晶體- 维基百科，自由的百科全书 - 維基百科 多閘極電晶體指的是集合了多個閘極於一體的金氧半電晶體(MOSFET)。 ... 實現上主要的障礙來自於製造技術，不論是平面和非平面的設計都面臨挑戰，特別是顯影以及圖案化技術。 .... Intel已經表明在Sandy Bridge之後的處理器都將基於此3D設計。
Intel即將在什麼都3D的時代推出3D電晶體技術，從22nm的Ivy ... 2011年5月6日 - 3D IC在半導體業界已經不算稀奇，不過3D架構的電晶體聽起來似乎威很多？Intel剛宣佈他們的一項新技術（PTT有版友說這技術很古老了）， ...
可三維堆疊鰭式及超薄通道電晶體 - 國家奈米元件實驗室 近年來我們利用尖峰式雷射結晶(Pulse Laser Crystallization) 技術，在多種材料上. 成長高品質 ... Thermal Budget)、可三維堆疊鰭式電晶體(3D Stackable FinFETs)、.
Intel推3D晶片@ 評估:: 痞客邦PIXNET :: Intel推3D晶片力攻平板電腦「半世紀最大突破」 高效省電美國英特爾（Intel）周三宣布成功開發立體電晶體（transistor）技術，令晶片速度顯著提高，耗電量減半，英特爾 ...
三閘極電晶體-電子工程專輯 在本週於舊金山召開的英特爾開發者論壇(IDF)中，英特爾將再揭示其採用三閘極(tri-gate) 3D 電晶體技術的22nm 元件細節，並進一步說明超輕薄筆電(Ultrabook)的超 ...
Intel 3D 電晶體與TSMC 製程之競爭 - Journal Of Life 2013年5月11日 - 為了對抗ARM勢力陣營，Intel可說是在微處理器領域卯足的全力，近日，針對行動裝置設備，發表了全新以22nm製程技術打造的Atom SoC處理 ...
Intel® 22nm 3D Tri-Gate Transistor Technology Video Animation: Mark Bohr discusses Intel® 22nm 3D Tri-Gate technology.
16 奈米/14 奈米FinFET 技術：開闢全新的電子技術疆界 2013年3月25日 - 一代行動消費電子設備的發展，我們有理由更加期待FinFET 技術。 和其他新技術 ... 的多重閘極3D 電晶體，提供更顯著的功耗和效能優. 勢，遠勝過 ...
