半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 絕緣層覆矽(SOI)晶圓:製造技術與趨勢 - Semicondutor Magazine 於1978年被提出來做為CMOS製作技術的材料以來,絕緣層覆矽(SOI) 提供了操作快速、低功率消耗、減少軟錯誤、閉鎖抑制(latch-up immunity)、製程簡化以及尺寸微小化改善等潛力優勢。雖然早先是將SOI材料著眼於小規模的利基(niche)市場上,然而成為主流應用的 ...
ARM @ 未來趨勢科技研究中心 :: 痞客邦 PIXNET :: ARM今日宣布在台灣新竹科學園區成立新的CPU設計中心,這將是ARM首座設於亞洲的CPU設計中心,主要負責ARMR CortexR-M處理器系列產品的設計、驗證與開發,鎖定物聯網(IoT)、穿戴式裝置與嵌入式應用市場。
內建R7繪圖核心、HSA架構 AMD「Kaveri」A8-7600 處理器 - 電腦領域 HKEPC Hardware - 全港 No.1 PC網站 AMD 早前發佈發新一代 APU 處理器代號「 Kaveri 」,因內部加入 HSA 異構系統架構功能,令 CPU 及 GPU 之間的溝通及運算效率提高,令效能得以提升。繼較早前取得 A10-7850K 作評測後,編輯部也找來定位較低的 A8-7600 APU 測試平台,為
FinFET(鰭式場效電晶體) - MoneyDJ理財網 FinFET(鰭式場效電晶體)。 FinFET(Fin Field-Effect Transistor)稱為鰭式場效電晶體,電晶體的閘極環繞包裹著電晶體的高架通道,形狀與魚鰭相似,因而命名。Fin.
更多關於「鰭式場效電晶體finfet」的新聞 在16/14奈米FinFET訂單方面,Mok指出,台積電之前曾說過,該公司今年的 ... Jefferies預期3D NAND、FinFET(鰭式場效電晶體)將是2014/15/16年 ...
FinFET- 台灣Wiki FinFET--為鰭式場效晶體管英文簡稱,是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管,閘長已可小於25奈米。該項技術的發明人是加州大學伯克利分校的胡正明教授。
國研院奈米元件實驗室 - 國家奈米元件實驗室 國家實驗研究院今日宣布研發出「多重鰭高的鰭式場效電晶體」製程技術,將比「鰭式場效電晶體(FinFET)架構,降低約20%的製造成本,且設計更具彈性,計劃明年起 ...
CTIMES - 台積電開發出鰭式場效電晶體元件雛型:台積公司,胡 ... 台積電開發出鰭式場效電晶體元件雛型. 電晶體的閘長 ... FinFET係源自於目前傳統標準的電晶體-場效電晶體(Field-effect transistor)的一項創新設計。在傳統電晶體 ...
國研院奈米元件實驗室- 奈米通訊 主題文章第一篇「具有L 型通道架構之金氧半場效電晶體」探討一新穎具有L 型通道 ... 利用I-line 雙重微影成像法製作多晶矽鰭式場效電晶體(FinFET)」則利用I-line 步 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌- 完全空乏型元件時代 ... 平面式完全空乏型電晶體製造在超薄的絕緣層覆矽(Silicon-On Insulator)上,而鰭式場效電晶體(FinFET)元件製造在超窄的鰭式結構上,鰭式結構是以塊狀基板(bulk ...