2011/10/07 工研院展出RRAM高速非揮發性電阻式記憶體 @ 未來趨勢科技研究中心 :: 痞客邦 PIXNET :: 隨著可攜式產品的蓬勃發展及功能需求的提升,使得當前全球記憶體市場需求急速擴張,其中又以非揮發性記憶體(non-volatile memory)的快速成長最受關注。能夠快速讀取的電阻式非揮發性記憶體(RRAM)深具競爭潛力,具備操作電壓低、快速啟動及讀取、結構 ...
電阻式記憶體簡介 耐久性佳、記憶元件面積縮小、非破壞性讀取和低成本等優點,而被廣泛地研究中。 二.電阻式記憶體(RRAM). 電阻式記憶體常用的基本結構是以一個電晶體與一個 ...
摻雜鋅之二氧化矽電阻式記憶體 - 國家奈米元件實驗室 在新穎次世代記憶體元件中,電阻式記憶體(Resistance Random Access Memory : RRAM)因具有操作速度快、結構簡單、非揮發性、低功耗與可靠度佳等優點,使其.
9奈米電阻式記憶體技術 - 國家奈米元件實驗室 - 財團法人國家 ... 今國家實驗研究院奈米元件實驗室(NDL) 領先全球,開發出全球最小的9奈米功能性電阻式記憶體(R-RAM)陣列晶胞,容量比現行快閃記憶體增加約20倍,耗電量則 ...
可變電阻式記憶體- 维基百科,自由的百科全书 可變電阻式記憶體(英语:Resistive random-access memory,縮寫為RRAM 或ReRAM),是一種新型的非揮發性記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體, ...
氧化矽基電阻式記憶體 - 國立中山大學材料與光電科學學系 2012年12月6日 - 中,電阻式記憶體( Resistance Random. Access Memory,RRAM ) 是當中最具. 潛力的一種數位訊息存儲器(Memory),. 由於其具有高速、結構 ...
Research 研究 在眾多新世代記憶體技術中,以過渡金屬氧化物(TMO)為基礎的電阻式記憶體( RRAM),利用氧化物中原子鍵結缺陷的氧化還原反應,導致顯著的阻質切換,配合其簡單 ...
電阻式記憶體(RRAM)技術新趨勢| 產業焦點| IEK產業情報網 2011年4月27日 - 近年全球學界、業界及研究單位,都針對電阻式記憶體(resistive random access memories;RRAM)投入很多研究,主要是因為RRAM結構簡單,和 ...
電阻式記憶體(RRAM)製程整合與微縮技術趨勢 - IEK產業情報網 2014年3月4日 - 工研院自2006年以來積極發展世界級的電阻式記憶體(RRAM)技術,使其成為現今最低耗能的非揮發性記憶體,其中製程微縮則是讓記憶體產品 ...
Crossbar - RRAM Technology Overview Crossbar's 1 Terabyte RRAM is offering a new approach to the memory market by developing a more scalable, high capacity, high performance and reliable ...