Drying Oven - syskey 化學氣相沉積(CVD)乃是利用化學反應的方式在腔體內將氣體生成固態的生成物，並沉積在基板表面的一種薄膜沉積技術，我們可依據您的需求與我們的經驗提供一個設備解決方案。
普通化學報告 [薄膜 (Thin Films)] (a layer,coating)— 是一層附在物質上具有不同的特性的膜, 其厚度最厚約 1 μ m。然而實際情況下因為製作技術的限制使得厚度約從 0.01 至 10 μ m 皆有。薄膜製作的技術可依薄膜形成的環境（條件）而分為:
化學氣相沉積 - 維基百科，自由的百科全書 化學氣相沉積（英文：Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD）是一種用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前驅物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解 ...
Chapter 10 化學氣相沉積與介電質薄膜 CVD製程. • APCVD：常壓化學氣相沉積法. • LPCVD：低壓化學氣相沉積法. • PECVD ：電漿增強型化學氣相 ...
電漿輔助化學氣相沈積鍍膜（Plasma Enhanced CVD, PECVD ... 抽氣速率、8.產生電漿的方式等。其鍍膜的物理性質與傳統Thermal CVD 法的Si3N4 比較具有下列特性：.
化学气相沉积- 维基百科，自由的百科全书 微波电浆辅助化学气相沉积（Microwave plasma-assisted CVD, MPCVD）; 电浆增强化学气相 ...
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition) 及真空系統。 高溫氧化矽(摻雜及. 未摻雜)、氮化矽、. 多晶矽以及WSi2。 電漿CVD. 電漿增加CVD. (PECVD).
高頻電漿CVD 不同功率對非晶矽膜及薄膜太陽能電池 ... - 明道大學 高頻電漿CVD 不同功率對非晶矽膜及薄膜太陽能電池之特性分析. 沈炤德1. 王朝俊1 . 王勝進1. *連水養1, 2.
Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of Functional Coatings plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Based on knowledge of fundamental physical and chemical processes in the active plasma ...
【技術資料】電漿輔助化學氣相沈積鍍膜（Plasma Enhanced CVD ... 2009年7月10日 - 產生電漿的方式等。其鍍膜的物理性質與傳統Thermal CVD 法的Si3N4 比較具有下列特性 ...
