電晶體-電晶體邏輯 - 維基百科,自由的百科全書 TTL各系列典型消耗功率 與傳輸延遲的比較 [編輯] 系列 型號 特徴 消耗電力(mW/Gate) 傳輸延遅 t pd (nsec ... 但消耗電力大。 20 6 蕭特基TTL 74S 使用蕭特基二極體與蕭特基電晶體的高速TTL 20 3 低功率蕭特基TTL 74LS 1970年代後半至80年代前半的主流TTL 2 ...
物理學名詞.xls (中英對照) - ::::: 歡迎光臨東吳大學 ::::: Sheet3 Sheet2 Sheet1 (一)分接;(二)分接頭 等時[降落]曲線 泰勒-庫埃特流 遠心光闌 遠心系統 電信方程[式] 遠震 (地科) TEM (=transmission electron microscope) (一)回火度;(二)含碳量 (一)韌性;(二)韌度
AEC-Q200被動(無源)組件應力測試認證規範 標題: 內容說明: 電動機車與電動機車馬達試驗規範整理 電動機車與電動機車馬達試驗規範整理 AEC-Q200試驗條件 AEC-Q200 試驗條件 AEC-Q200被動(無源)組件應力規範 AEC-Q200 被動(無源)組件應力測試規範
FIB Man HomePage - PEM介紹 熱載子能量釋放(Relaxation accompanied with light emission) 說明: 一可移動載子(mobile charge carriers,可為電子或電洞)經過電場加速取得足夠的動能(kinetic,熱載子), 利用光將其累積的動能釋放 此為PEM測得的主要光來源
閎康科技股份有限公司 > EMMI - Materials Analysis Technology Inc. 電性量測,Electrical Measurement,故障分析,失效分析,Failure Analysis,FA,Fault Isolation,Root cause identification,電性故障分析,Electrical Failure Analysis,EFA, I-V, I-V Measurement ,Emission Microscope ,EMMI,InGaAs Camera,InGaAs Detector ,InGaAs,Optical ...
閂鎖效應- 台灣Wiki 閂鎖效應是由NMOS的有源區、P襯底、N阱、PMOS的有源區構成的n-p-n-p結構產生的,是CMOS工藝所特有的寄生效應,嚴重會導致電路的失效,甚至燒毀晶元。
絕緣閘雙極電晶體 - 維基百科,自由的百科全書 絕緣閘雙極電晶體(英語:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半導體器件的一種,主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。傳統的BJT導通電阻小,但是驅動電流大,而MOSFET的導通電阻大,卻有著驅動電流小的優點。IGBT正是 ...
AEC-Q100 - 基於積體電路應力測試認證的失效機理 標題: 內容說明: 電動機車與電動機車馬達試驗規範整理 電動機車與電動機車馬達試驗規範整理 AEC-Q200試驗條件 AEC-Q200 試驗條件 AEC-Q200被動(無源)組件應力規範 AEC-Q200 被動(無源)組件應力測試規範
宜特科技 | IC靜電防護及閂鎖試驗(ESD &Latch-up) 宜特科技-分析、檢測與可靠度、主要業務在提供IC檢測,FIB,零件可靠度,系統可靠度,IC壽命 測試等服務。 - 可靠度 ...
闩锁效应(latch up) 第一部分latch up 的原理. 我用一句最简单的话来概括,大家只要记住这句话就行了: latch-up 是PNPN 的连接,本. 质是两 ...