鋁 - 維基百科，自由的百科全書 鋁 （ 英語 ： Aluminium / Aluminum ）是一種 化學元素 ，屬於 硼族元素 ，其 化學符號 是 Al ， 原子序數 是13。鋁是一種較軟的易延展的銀白色 金屬 。鋁是 地殼 中 第三大豐度的元素 （僅次於 氧 和 矽 ），也是 豐度 最大的金屬，在地球的固體表面中占約8% ...
璦司柏電子 | LED散熱基板、陶瓷散熱基板、氧化鋁基板、氮化鋁基板、薄膜製程、厚膜製程、LED線路設計加工 ... 3-2-1、氧化鋁陶瓷基板 上述部分是針對製程不同部份所做的闡述，另一項與散熱息息相關的則是基板材質，LED 散熱基板所使用之材質現階段以陶瓷為主，而氧化鋁陶瓷基板應是 較易取得且成本較低之材料，是目前運用在元件上的主要材料，然而厚膜技術 ...
東台PCB鑽孔機居領導地位高階雷射鑽孔機乘勝追擊 2010年10月20日 - 張琳一／高雄穩居國內第1大、全球第2大的PCB鑽孔機製造大廠東台精機公司，一直致力於發展PCB鑽孔機與成型機設備。有鑒於未來PCB雷射鑽孔 ...
ITO 的基礎知識 - NEW JEIN INDUSTRIAL CO, LTD 何謂 ITO ? 透明導電膜 透明導電膜是指兼有高可視光透過率（可視光波長領域為380 ... 成出來的 結晶 性也會不同。100 ...
治療地中海型貧血及鐮刀型貧血症的新藥開發 - 公共事務組 以往重症的地中海型貧血或鐮刀型血球貧血患者終其一生都需倚賴定期輸血的治療 方式；然而持續性的長期 ... RREB1是一個可用來發展藥物及其他方法以治療地中海 型貧血及鐮刀型貧血症.
金屬氧化物半導體場效電晶體 - 维基百科 金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 先進CMOS電晶體之金屬閘極整合化CMP製程 - Semicondutor Magazine 10pt 3>因為新材料的引入，使得高介電常數金屬閘極(high-k metal-gate, HKMG)CMOS電晶體的量產製程整合化更形複雜。後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程，兩者對最終閘極高度(gate height)與表面形貌(topography)都需要極度的 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 高介電係數介電層與金屬閘極的製程選擇：閘極先製還是閘極後製 ... 10pt 3>當傳統的Poly/SiON閘極堆疊已無法符合需求時，導入新的閘極堆疊材料（高介電係數介電層與金屬閘極）使得摩爾定律能夠繼續在45/32奈米製程延續下去。不同的製程（一般而言，分為閘極先製與閘極後製製程）也被提出來搭配這些新的閘極堆疊材料。
透明導電薄膜 - Tnu.edu.tw 透明導電薄膜. 2.1透明導電薄膜主要種類. 透明導電膜主要分為金屬薄膜與金屬氧化物半導體薄膜兩類，以後 者被受廣泛應用與深入研究。這兩類透明導電膜材料的 ...
Chapter 10 化學氣相沉積與介電質薄膜 9 CVD應用 薄膜 源材料 Si (多晶) SiH 4 (矽烷) 半導體 SiCl 2H 2 (二氯矽烷；DCS) Si (磊晶) SiCl 3H (三氯矽烷；TCS) SiCl 4 (四氯矽烷；Siltet) LPCVD SiH 4, O 2 SiO 2 (玻璃) PECVD SiH 4, N O 介電質 PECVD Si(OC 2H 5) 4 (四乙氧基矽 ...
